8种开关电源MOS管的工作损耗计算
因漏感等因素,MOSFET在关断完成后之VDS(off_beginning)往往都有一个很大的电压尖峰Vspike叠加其上,此值可大致按经验估算。5、驱动损耗Pgs驱动损耗,指栅极接受驱动电源进行驱动造成之损耗驱动损耗的计算:确定驱动电源电压Vgs后,可通过如下公式进行计算:Pgs=Vgs×Qg×fs说明:Qg为总驱...
吃透MOS管,看这篇就够了
做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放,运放分析的虚连、...
MOS管开关电路设计,用三极管控制会容易烧坏?
但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电路简单,BOM成本低!缺点,二极管动态负载电阻大,特别不...
防堵高压电源EMI/相位故障 预稳压器提升三相电源效能
为减小电磁干扰,电容被连接到功率MOS管的漏极和源极之间,电容C1将限制漏极电压的上升,并降低峰值电压和功率MOS管上,可能产生由整体串联电感引起的高频率寄生振荡。由于开关频率低,可使用一个大的2.2nF的电容,而不影响整体性能,这电容在下一周期前被完全放电,不会影响导通,电容C1更将保护预稳压器整体免受浪涌测试...
MOS管烧了,可能是这些原因
还有可能是功率过载,超过绝对最大额定值和散热不足,都会导致MOS管发生故障。接下来就来看看所有可能导致失效的原因。过电压MOS管对过压的耐受性非常小,即使超出额定电压仅几纳秒,也可能导致设备损坏。MOS管的额定电压应保守地考虑预期的电压水平,并应特别注意抑制任何电压尖峰或振铃。
LDO与DC-DC串联到底能抑制多少纹波?
一般的应用如下,在DC-DC后串联一个LDO,利用LDO的高PSRR来降低输出电压纹波(www.e993.com)2024年9月20日。2.如何计算降低多少纹波一般的LDO会标成自己在1kHz下的PSRR,好一点的在60~80dB,但是并不代表他串联在DC-DC后就能起到60~80dB的抑制效果。实际上由于现在追求小体积,DC-DC的频率越来越高,也就意味着其纹波频率越来越高。为何频...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
因此,Vgs为0V,MOS管关闭。逻辑1或低侧输入的高状态通过上拉电阻R2在MOS管的漏极侧反映为5V输出。在这种情况下,如果MOS管的低侧将其状态从高变为低,则MOS管开始导通。源极处于逻辑0,因此高端也变为0。上述两个条件成功地将低电压逻辑状态转换为高电压逻辑状态。
电压调节器-IC电子元器件
2、稳压管损坏:稳压管损坏可能是由于过大的输入电压、过大的负载电流、反向电压等原因导致的。预防措施包括选择适当的稳压管、加入反向保护电路、限制输入电压和负载电流等。3、晶体管/MOS管损坏:晶体管/MOS管损坏可能是由于过大的负载电流、过大的输入电压、过高的环境温度等原因导致的。预防措施包括选择适当的晶体...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流,有电流就有发热,并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要路过一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。
干货| 工程师手把手教你硬件电路设计
线性稳压电源内部结构简单,反馈环路短,因此噪声小,而且瞬态响应快(当输出电压变化时,补偿快)。但是因为输入和输出的压差全部落在了MOSFET上,所以它的效率低。因此,线性稳压一般用在小电流,对电压精度要求高的应用上。而开关电源,内部结构复杂,影响输出电压噪声性能的因素很多,且其反馈环路长,因此其噪声性能低于线性稳...