中环领先申请外延片及其制备方法专利,降低成核层的缺陷密度
一种外延片,包括:衬底;碳化硅晶格适配层,位于衬底的一侧;成核层,位于晶格适配层远离衬底的一侧;其中,衬底具有第一面内晶格常数d1,碳化硅晶格适配层具有第二面内晶格常数d2,成核层具有第三面内晶格常数d3,满足:d3??d2<d3??d1。本申请通过在衬底和成核层之间设置碳化硅晶格适配层,并控制第一面内晶...
Denso 在 HTCVD 方面取成果,生产出低缺陷密度的 SiC 晶锭
恒普科技实现技术突破,有助于降低SiC晶体边缘缺陷,使有效面积超95%,晶体成本有望下降15%。
进击的中国碳化硅
由于8英寸基板的表面积比6英寸基板大,因此产量更大、成本效益更高,这也是M更热衷于8英寸生产的原因。越来越多的8英寸晶圆厂正在转为生产SiC晶圆,这为M提供了更多的8英寸SiC产能。由于技术门槛较高,目前大陆能够出货8英寸SiC基板的供应商并不多,因此国内的SiC基板供应商有机会与IDM建立8英...
SiC缺陷仅1.3个!这项SiC技术起底
首先,我们来看看碳化硅晶锭和衬底中常见的缺陷类型。这些缺陷通常是在碳化硅晶体生长过程中产生的,而不同的长晶技术的缺陷密度各不相同,我们再来对比一下PVT、HTCVD和液相法的各自缺陷密度情况。根据日本东京大学2019年发布的论文,相较于PVT法,HTCVD生长的SiC晶锭BPD位错可以大幅减少,但是TSD和TED位错仍然没有改善,...
干货| 碳化硅都需要检测些什么?
微观结构分析是了解碳化硅内部组织和缺陷的重要手段,主要包括:X射线衍射(XRD):用于分析碳化硅的晶体结构和相组成,评估其内部结构的稳定性。扫描电子显微镜(SEM):观察碳化硅表面和断口的微观形貌,检测其表面缺陷和杂质。透射电子显微镜(TEM):高分辨率观察碳化硅的内部结构和晶体缺陷,提供更详细的微观结构信息。
碳化硅晶体在高科技领域有何应用?这种材料有哪些技术挑战?
其一,碳化硅晶体的生长工艺复杂且成本高昂(www.e993.com)2024年10月19日。目前主流的生长方法如物理气相传输法(PVT)需要在高温、高真空的苛刻条件下进行,生长速度缓慢,导致晶体产量有限,价格居高不下。其二,晶体质量的控制难度较大。碳化硅晶体中容易存在各种缺陷,如位错、多型夹杂等,这些缺陷会严重影响器件的性能和可靠性。
【竣工】安徽微芯长江碳化硅项目预计10月厂房竣工;山西太原首批...
铜陵新闻网消息显示,安徽铜陵经开区安徽微芯长江半导体材料有限公司碳化硅晶圆片项目正在加快施工,预计今年10月份厂房竣工交付。图片来源:铜陵新闻网该项目由安徽微芯长江半导体材料有限公司投资建设,总投资13.5亿元,新建碳化硅晶体生长车间、碳化硅晶圆片加工车间等,拟购置研发设备、检测设备和其他辅助设备793台(套)。项目...
天岳先进:液相法的大规模应用尚需要攻克碳化硅单晶高质量生长界面...
碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法(PVT)、高温气相化学沉积法(HT-CVD)、液相法(LPE)等方法。其中,PVT法是目前产业内规模化碳化硅晶体生长方法。液相法SiC长晶技术具有多个优势,理论上具有位错密度低、晶体质量高等优势,受到产业内高度关注,但液相法的大规模应用尚需要攻克碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制...
8英寸碳化硅时代呼啸而来!
8月30日,上海汉虹官微宣布,他们在拉晶实验室中,使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体,此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度,直径达到200毫米标准,电阻率和晶向均符合高端应用要求。据悉,该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉,采用上进料方式和自动化控制,通过热场旋转及热...
关键突破!8英寸碳化硅时代呼啸而来 | 金刚石大会 | 碳材料展
8月30日,上海汉虹官微宣布,他们在拉晶实验室中,使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体,此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度,直径达到200毫米标准,电阻率和晶向均符合高端应用要求。据悉,该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉,采用上进料方式和自动化控制,通过热场旋转及热...