晶圆FAB厂BCD工艺技术难点|热处理|可靠性|dmos_网易订阅
层间应力:不同材料的热膨胀系数不同,热处理可能导致应力集中,进而影响器件的可靠性。3.掺杂浓度和分布控制在BCD工艺中,需要精确控制不同区域的掺杂浓度和分布。掺杂剖面:需要在不同区域实现不同的掺杂剖面,例如Bipolar区域需要高掺杂浓度的发射极和集电极,CMOS区域需要不同掺杂浓度的源极和漏极。隔离技术:需要...
如何建一个200亿美元的晶圆厂?
但如今,掺杂主要通过离子注入来完成:一束离子(具有过量或缺乏电子的原子,赋予它们电荷)被发射到晶圆上,将原子沉积在表面下方。离子注入装置4.退火半导体制造中的最后一个主要操作是退火。该过程中有许多步骤,其中加热或冷却晶圆以获得特定结果。例如,离子注入会导致硅晶体结构受损。这种损坏可以通过快速热退火来修...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
4.场效应管只有多数载流子参与导电,三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电,因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以场效应管比三极管的温度稳定性好。5.场效应管在源极未与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大,而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b值将减小...
第十八届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛授奖名单
易地重生:跨县搬迁移民返贫风险防范研究——基于全国最大跨县搬迁安置区的调查河海大学数智课后——中西部欠发达地区数字赋能中小学课后延时服务的策略构建与实证研究西安电子科技大学直面"尖峰时刻":如何解决我国区域短时电荒问题?—基于"百县万户"的居民用电行为调研及策略优化北京理工大学调与不调?土地二轮...
【东吴晨报0822】【个股】伟明环保、北新建材、帝尔激光、联影...
订单,光伏激光设备龙头强者恒强:TOPConSE一次硼掺设备利用激光能量推动硼原子在硅片内扩散,实现选择性发射极SE结构,从而获得更高的短路电流、开路电压和填充因子,可提高0.25%以上光电转换效率,目前公司还在开发TOPCon的新工艺,可以与SE叠加,是综合开膜、掺杂、表面处理的技术,预计可实现提效0.2%,且单GW价值量比SE高。
2023年行星物理学热点回眸 | 科技导报
海拔越高,这3个因素对热层的影响越大(www.e993.com)2024年7月2日。不同因素对热层变化产生不同的季节变化影响。此外,预测发现,CO2浓度每增加4×10-4,将导致全球平均中性密度和温度分别降低50%~70%和84~114K,直接影响到航天器和空间碎片的轨道和寿命。在热层环流方面,研究表明,在整个全新世,CO2的增加/减少将增强/削弱热层环流,但这种影响...
【光伏技术】高效晶体硅电池技术-发射区扩散
传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂,且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现表面杂质浓度过高导致扩散区能带收缩、晶格畸变、缺陷增加、“死层”明显、电池短波响应差。PN结技术是国际一流电池制造企业与国内电池企业的主要技术差距。为了在提高电池的填充因子的同时避免表面“死层”,选择性扩散...
IGBT 发射极孔对偏的影响
当场截止层掺杂浓度为1E17cm-3时,器件击穿电压1326V,满足击穿电参数指标要求。因此,场截止层掺杂浓度选择为1~2×1017cm-3。当N场截止层掺杂浓度一定时,随着场截止层厚度的降低,一定栅压下的集电极-发射极电流略有增大。###
...新型AI算法准确预测RNA三维结构,最多95%的海表气候将在2100年...
当地时间8月27日,俄新社援引俄罗斯国家原子能集团(Rosatom)消息称,俄方拟于2025年后发射“光谱-UV”天体物理观测站,对地面天文望远镜观测不到的紫外线光谱区进行观测。“恐针”影响生长激素注射?无针注射或将提高矮小症患儿治疗率无针注射通过不同直径大小的微孔将药物注射至人体组织中,最大注射深度在5毫米以下...
有了它 选择性发射极SE技术 PERC量产效率轻易突破22%?
这主要是由于激光功率较小时,不足以使硅片表面溶化,磷原子向硅片表面的掺杂较少,不能形成重掺杂区,导致金属电极与发射极之间无法形成良好的欧姆接触,使电池的串联电阻处于较高的水平。当激光功率上升到30W以上时,随着激光功率的增加,硅片表面溶化的深度不断加深,掺杂磷原子在硅片表面所能达到的深度也随之增加,因此...