MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍

SOA区指的是MOSFET的安全工作区,其英文单词是SafeOperatingArea。也有一些厂家叫ASO区,其英文单词是AreaofSafeOpration,总之,两者是一个意思,下面我们统一称为SOA区一般MOSFET都会给出SOA这个曲线,SOA区就是指的是曲线与横纵坐标轴围成的面积区域。如下图所示,这是TI的PMOS型号CSD25404Q3的安全工作区曲线...

吃透MOS管,看这篇就够了

Mos管也能工作在放大区,而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

而对于蜂鸣器来说,由于和按键有同样的效果,不加上拉电阻,无法区别在没有单片机控制时,三极管的工作状态,所以,必须加上上拉电阻以保障无单片机控制时,三极管截止,蜂鸣器不工作。有时候由于器件自身设计的原因,如果不接外部上下拉电阻,设备无法正常实现高低电平的转换。例如,对于开漏输出的I2C总线来说,如果不接上拉电阻...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高...

功率半导体中超结MOS管基础知识

交替P型和N型区域:这些交替的区域在器件导通时形成了一个高效的电流通道,而在关断时则能够分担电场,使得器件能够承受更高的电压。5.超结MOSFET的优势更低的导通电阻(R):超结MOSFET的结构设计显著降低了导通电阻。这意味着在相同电压等级下,超结MOSFET能够提供更高的效率,减少功率损耗。

「前瞻解读」2024-2029年中国智能终端行业发展前景及趋势预测

智能终端行业产业链区域热力地图:广东分布最集中从企业分布情况来看,目前我国智能终端代表性企业主要分布在东部和南部沿海地区,西部地区企业数量较少(www.e993.com)2024年11月14日。其中,广东省智能终端行业上市公司数量较多,分布在芯片、电池、显示屏、软件系统、移动智能终端、非移动智能终端等各个环节。

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

1.2电力MOSFET小功率MOS都是横向导电器件,当MOS管工作在恒流区时,管子的耗散功率主要消耗在漏极一端的夹断区上,并且由于漏极所连接的区域(称为漏区)不大,无法散发很多的热量,所以MOS管不能承受较大的功率。为了解决这个问题,垂直导电结构应运而生。目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构,所以又称之为VMOSFET(...

干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录

MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

技术文章—MOS管场效应管详解

它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确...

MOS管参数,一一解惑

对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下,将导致器件失效。因此,在典型栅极驱动电压下,需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。