微型光伏逆变器MOS管选型难?不如看看这篇文章

Infineon英飞凌BSC190N15NS3-G上图四颗升压MOS管均来自英飞凌,型号BSC190N15NS3-G,是一颗耐压150V,导阻19mΩ的NMOS,使用两颗并联,四颗对应两个变压器。内置高压功率器件ST意法半导体STB18NM80还有两颗MOS管来自意法半导体,型号STB18NM80,这是一款耐压800V,导阻为250mΩ的NMOS。相关阅读:1、拆解报告:...

MOS管基础及选型指南

MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。6、封装根据PCB板的尺寸,选择合适的NMOS管尺寸,在板载面积有限的情况下,尽可能选择小封装;尽量选择常见封装,以备后续选择合适的替代料。

MOS管及其外围电路设计

驱动电阻上限值的计算原则为:防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。当mos管关断时,其DS之间的电压从0上升到Vds(off),因此有很大的dV/dt,根据公式:i=CdV/dt,该dV/dt会在Cgd上产生较大的电流igd,如图3所示。图3mos关断时的对应电流该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个...

MOS管选型难?不如看看这篇永源微案例汇总

熟练掌握功率器件(Trench,SGT,Planar,Coolmos),BCD5V-60V工艺,CMOS5V-600V工艺等多种平台的开发于设计。永源微电子坚持自主创新,紧贴市场,致力于“APM,永源微电子”品牌的宣传于推广,坚持自主,可控,严谨的产品意识,致力于为国内外的电子产业提供更加优质和高效的产品。永源微旗下的MOS管产品均具备低栅极电荷...

快充设计选型难?不如看看这些杰华特历年拆解案例

杰华特JW1565J是一颗氮化镓合封芯片,这款合封芯片将高频氮化镓直驱控制器,氮化镓功率管合封在一个封装内部,减小寄生参数对高频开关的影响,JW1565J内部集成高压启动和X电容放电功能,芯片内部集成700V耐压,165mΩ氮化镓开关管。杰华特JW1565J具备宽供电电压范围,采用QR工作模式提升能效,芯片具备可选的过电流和过功率保护...

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

3、IGBT开关参数的选择变频器的开关频率一般小于10kHZ,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT(www.e993.com)2024年11月11日。四.SiCMOSFET与SiSJ-MOSFET对比1.1静态特性表1:SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件参数上表为SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件的静态参数,可以看出SJ-MOSFETVGS(栅压)大于VTH(...

MOS管在BMS中的应用方案

一般确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS管的电压,在实际应用中锂电池对温度的要求比较高,因此需要内阻较低的MOS管。在选型上需注意:01通过热设计来确定并联的MOSFET数量和合适的RDS(ON)02选择较小RDS(ON)的MOSFET,在多个MOSFET并联时能够进一步减小导通内阻...

高功率电源芯片选型难?不如看看这篇PI拆解案例汇总

PI电源主控芯片SC1224K芯片内部集成初级控制器,初级开关管,反馈和同步整流控制器,集成度很高。相关阅读:1、ASUS华硕18WUSBPD3.0充电器拆解2、拆解报告:思科18WRJ45转USB-C电源适配器PIINN2215KPIINN2215K是离线CV/CC反激开关集成电路,这款芯片为InnoSwitch-CP系列,集成了650VMOSFET,Sync-Rect反馈和...

一文搞懂IGBT

MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异(红框所标位置)。这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电...

低压-30V/-100V/-150V耐压p-mos管选型参数,士兰p型mos管选型!

P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件,P-MOSFET的栅极是绝缘的,属于电压控制器件,因而输入阻抗高,驱动功率小,电路简单。和N沟道MOSFET产品相比,P沟道MOSFET产品需求远小,但在某些应用领域,P沟道MOSFET因其本身的电性特点,有其不可替代性,目前骊微电子可提供-30~-150V,-3~-46A的P沟道MOSFET...