韩媒:长鑫存储与三星电子在DRAM技术上的差距已缩小至1.5年以下

此外,在存储器领域,业界认为,长鑫存储与三星电子在DRAM技术上的差距已缩小至1.5年以下,而在NAND晶片应用领域,长江存储与韩企的差距也缩小至一年以内。MACD金叉信号形成,这些股涨势不错!

国风新材:控股股东旗下子公司长鑫半导体投资80亿美金,中国唯一...

投资者提问:控股股东旗下子公司长鑫半导体总投资80亿美金,是中国大陆目前唯一拥有完整技术、工艺、生产运营团队和投产的先进DRAM存储芯片公司,请问是否属实。董秘回答(国风新材(5.500,-0.02,-0.36%)SZ000859):尊敬的投资者,您好!请查阅已公开披露的信息,公司目前指定的信息披露媒体为《证券时报》和巨潮资讯网(htt...

【华言金语1029】兆易创新公司快报&工业企业利润点评&电新行业周报

长鑫存储是国内稀缺的DRAM存储产品IDM企业,其基于双方战略合作关系,开放部分产能为公司DRAM业务提供代工服务,是公司在DRAM业务领域重要的合作伙伴。双方秉持友好合作关系,通过DRAM产品采购代工之合作方式,优势互补,优化资源配置,丰富公司产品线,有利于提高公司核心竞争力和行业地位,符合公司业务发展需要。投资建...

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法、存储器专利,专利技术能改善...

金融界2024年5月7日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器“,公开号CN117995759A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示,本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、存储器,制备方法包括:提供衬底,并于衬底的顶面形成若干个沿第一方向间隔排布的隔离层;于相邻的隔...

分析丨在此轮反弹行情中,合肥国资抄底了谁?

③长期持有股权,待企业成长后实现退出,确保国有资产的保值与增值。合肥国资在企业成长后,通过上市、股权转让等途径实现政府投资的增值退出,确保国有资产的保值和增值。例如,合肥市政府投资平台所持有的京东方股票,在股价达到历史高点时,账面浮盈超过百亿元;投资长鑫存储后,上市时账面浮盈超过千亿元。

长鑫存储申请半导体结构专利,可实现沟道结构与半导体部分延伸方向...

金融界2023年12月29日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“,公开号CN117320435A,申请日期为2022年6月(www.e993.com)2024年11月26日。专利摘要显示,本公

国产存储巨头长鑫科技完成108亿元融资:估值已达1400亿元!

3月31日消息,近日长鑫科技宣布了新一轮融资,总额高达108亿元人民币,投前估值约1400亿元。3月29日A股盘后,兆易创新宣布计划对长鑫科技集团股份有限公司,进行15亿元的战略增资,完成后将持有长鑫科技约1.88%的股权。公开资料显示,长鑫科技旗下全资子公司长鑫存储技术有限公司,是目前国内唯一的国产一体化动态随机存取存...

长鑫存储申请半导体结构专利,提高了半导体结构的I/O传输数据的...

金融界2023年12月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体存储器“，公开号CN117199052A，申请日期为2022年5月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及半导体存储器，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括基底、多个有源柱、多个字线和覆盖有源柱和字线的介质层，...

长鑫存储申请半导体专利,制备方法形成的位线结构具有更小的关键尺寸

金融界2023年12月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117198985A，申请日期为2022年5月。专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。其中，该制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成牺牲介质层；沿第一方向图形化部分牺牲介质层，在牺牲...

长鑫存储取得位线结构和半导体存储器专利,提高器件的感应裕度和充...

金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“位线结构和半导体存储器“，授权公告号CN113451270B，申请日期为2020年3月。专利摘要显示，本发明涉及一种位线结构和半导体存储器，所述位线结构包括第一位线阵列和第二位线阵列，第一位线阵列包括沿Y方向延伸的多条第一位线，...