【光电集成】临时键合技术在晶圆级封装领域的研究进展介绍-电子...
2023年4月18日 - 电子工程专辑
因此,首先对Cu淀积时的工艺参数进行筛选,此处选取关键工艺参数,即电流密度,以研究不同电流密度下圆片内九点区域处(自上而下、从左到右)Cu/Ni凸点的高度差异,并对圆片内凸点的一致性进行验证,具体结果见表1。结果表明,3ASD下电沉积速率约为0.6μm/min,5ASD电沉积速率约为1.0μm/min,这一数值同理论Cu电沉积速...
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因此,首先对Cu淀积时的工艺参数进行筛选,此处选取关键工艺参数,即电流密度,以研究不同电流密度下圆片内九点区域处(自上而下、从左到右)Cu/Ni凸点的高度差异,并对圆片内凸点的一致性进行验证,具体结果见表1。结果表明,3ASD下电沉积速率约为0.6μm/min,5ASD电沉积速率约为1.0μm/min,这一数值同理论Cu电沉积速...