MOS管常见的几种应用电路

下图示例电路中,芯片1正常工作时,PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求,在芯片1正常工作后,使能芯片2。可以看到芯片2的使能端初始连接VCC为高电平,当芯片1输出高电平后,(关注公众号:硬件笔记本)MOS管导通,芯片2的使能端被拉低为低电平,芯片2开始正常工作。这时MOS管起到的就是反相的作用。三、双向电平...

分享几个常用的电平转换电路

④当DAT2为低电平时,MOS管里的体二极管把DAT1拉低到低电平,此时Vgs约等于3.3V,Q2导通,进一步拉低了DA1的电压。①上拉电阻的取值上拉就是要把VCC的电压上拉给I/O口使用,同时起到限流的作用。一般取值为10K、5.1K、4.7K。阻值越小,可以提供更大的电流驱动能力,速率越高,但功耗也越高。在满足电路性能...

巧记电路原理图的英文缩写

例如VCC_DC_IN的含义,就是外部DC接口供电。

五种常见的过压保护电路!

而隔离电源都存在一个隔离变压器,这是每个开关电源都会有的,因此,可以利用该变压器来实现原副边隔离,因为开关电源原边都存在VCC绕组,因此我们可以利用VCC绕组实现输出过压保护,第三种保护电路应运而生。过压保护电路三该方案采用原边辅助绕组VCC,通过耦合副边输出电压,输出电压升高导致VCC电压升高从而实现输出过压保护...

高效率,高EMI性能,晶丰明源合封氮化镓芯片BP83223详解

BP83223内置多种保护,包括逐周期限流、输出短路保护、输出过压保护、次级整流管短路保护、过载保护、VCC过压/欠压保护、输入欠压保护、以及过温保护等。BP83223采用ESOP-10封装,具备较好的散热性能。充电头网总结晶丰明源BP83223通过集成650V高压GaN功率管、PWM控制、驱动和多种保护功能,有效简化了电路设计...

干货|比较器器电路详细讲解,工作原理+灵敏度问题

假设运放输出高电平为UOH(对理想运放来说,此值为VCC),输出低电平为UOL,那么对输入信号,电路有两个比较翻转点,较大的一个称为UR+,较小的称为UR-(www.e993.com)2024年11月19日。设正反馈系数为k,k值越接近于1,说明反馈越强烈,迟滞窗口越宽:k=R1/R1+R2当输出为高电平时,翻转点为:...

常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻

为了避免损坏PMOS的栅极,在上面的电路中,添加一个稳压管和电阻,来达到钳位的作用,使Vgs最小不低于-12V,以保护Q2的栅极。(见下图)特别注意:VCC电压较高时,需要重新计算各电阻的热功耗,来确定合适的封装,或者更改阻值。PMOS做低侧开关的实例实在是少之又少,并且PMOS做低侧开关确实没什么好处,电路复杂且参数较差...

中国台湾是怎么从美国手里“夺走”芯片业务的

随后潘文渊在美国召集海外学人组成电子技术顾问委员会(TechnicalAdvisoryCommittee;TAC),并遴选RCA公司作为技术转移的合作伙伴,选定引进集成电路中的“互补式金属氧化物半导体”(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor;CMOS)技术,同时在工研院成立电子工业研究发展中心(后扩大为电子工业研究所),作为发展“集成电路计划”的...

栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南

自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工作原理如下。当VS降低到IC电源电压VDD或下拉至地时（低端开关导通，高端开关关断），电源VDD通过自举电阻，RBOOT，和自举二极管，DBOOT，对自举电容CBOOT，进行充电，如图2所示。当VS被高端开关上拉到一个较高电压时，由VBS对该自举电容...

为什么采用4—20mA的电流来传输模拟量?总结得太好了

当然,电流输出可以与电源公用一根线(公用VCC或者GND),可节省一根线,所以现在基本上将四线制变送器称之为三线制变送器。其实大家可能注意到,4-20mA电流本身就可以为变送器供电,变送器在电路中相当于一个特殊的负载,这种变送器只需外接2根线,因而被称为两线制变送器。工业电流环标准下限为4mA,因此在量程...