南瑞集团有限公司董事长山社武:强化科技和产业支撑 当好电网安全...

深刻理解“管电就要管系统、管系统就要管稳定”的重要意义,充分认识新能源高速发展造成的电网“双高”特性,从提升系统认知、加强安全防御、做到能源平衡、实现协同控制等维度,针对性提出支撑方案,在助力公司构建新型调度体系、提高驾驭新型电力系统能力、保障电网安全稳定运行上勇挑大梁、率先作为。提升系统稳定控制能力。...

国产芯片“攻入”车厂

然而,在高端功率半导体方面,如高效能碳化硅器件和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,国产技术仍与国际领先水平存在明显差距,关键技术和产能在很大程度上还依赖进口。“在全球竞争中,功率半导体可以成为我们与国际巨头抗衡的一个切入点。”吴全表示。不过,他亦向记者强调,车规级MCU、SoC(系统级芯片)与传感器,会是未来国产...

格力电器获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制备方法”

证券之星消息,根据企查查数据显示格力电器(000651)新获得一项发明专利授权,专利名为“绝缘栅双极型晶体管及其制备方法”,专利申请号为CN202311149652.7,授权日为2023年12月22日。专利摘要:本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该绝缘栅双极型晶体管结构包括:集电层,具有第一掺杂类型;漂移层,设置于集电...

金刚石:新能源汽车IGBT功率模块散热的新利器

一是金属氧化物半导体氧化层(MOS),这是IGBT的核心部分,可通过控制电路来控制其电流和电压等参数;二是双极型晶体管(BJT),由两个双极型晶体管构成,能够产生高功率;三是绝缘层,起到保护IGBT元件免受外界环境侵蚀和损坏的作用。2、工作原理当在IGBT的栅极-发射极间加阈值电压以上的正电压时,在栅极电极正下方的...

机器人“芯”时代:芯片助力智能化浪潮

3IGBT(绝缘栅双极型晶体管)传统的工控和电源行业为IGBT市场的稳定发展提供了坚实的支撑。在这些领域中,工业控制尤为突出,成为IGBT最大的应用市场,其需求持续上升。随着工业自动化技术的不断进步和普及,工业机器人和智能机床的广泛应用变得越来越依赖于高性能的交流电机、伺服电机,以及节能型变频器和电源装置,这些...

基础知识之晶体管

关于晶体管ON时的逆向电流1、不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的2、NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型(www.e993.com)2024年11月4日。也就是说,逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3、逆向晶体管有如下特点。hFE低(正向约10%以下)耐压低(7to8V与VEBO一样低)...

复旦8月科研成果,速览!_澎湃号·政务_澎湃新闻-The Paper

获奖理由:“探索超节点性能晶体管和亚1纳秒非易失存储器”医学科学领域获得者复旦大学附属中山医院肝外科主任医师、教授高强获奖理由:“探索免疫突触、抗原提呈相关免疫检查点及创新免疫治疗策略”新闻链接:httpsmp.weixin.qq/s/wa-Rw0LvjFQZbX59rJWmfA...

干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图

当输入A和B均为高电平时,发射极-基极结处的两个二极管都将反向偏置。集电极-基极结处的二极管DC正向偏置。它将打开晶体管Q2。随着Q2导通,晶体管Q4也将导通。输出端的两个晶体管都将导通,因此终端输出将具有低电平,这被视为逻辑0。

为什么D类放大器需要反并联二极管

图6.当D类放大器在其谐振频率以上工作时,流经上开关(a)和下开关(b)的电流。图片由SteveArar提供每个开关在其ON周期的一部分中都会传导负电流。图1中的电路图显示,我们的开关Q1和Q2是双极结型晶体管。由于双极结型晶体管不能传导反向电流,我们通常使用反并联二极管为负电流提供通路。这在图7中进行了说明。

BCD技术科普:模拟、数字和电源设计的统一方法

C-集电极,B-基极,E-发射极,S–源极,G–栅极,D–漏极,B–本体上图2.1给出了典型的BCD技术架构。上图3.1显示了BCD技术工艺流程。BCD工艺流程概述:从块状基底开始:厚硅晶片。大量掺杂p型杂质。外延沉积:基板上生长一层薄薄的略带p掺杂的硅层。