铠侠量产首款QLC UFS 4.0闪存:读取速度高达4200 MB/s

快科技10月30日消息，铠侠宣布量产业界首款采用四层单元技术的QLCUFS4.0闪存。相比于传统的TLCUFS有着更高的位密度，使其适用于需要更高存储容量的移动应用程序。在性能方面，512GB容量的QLCUFS4.0闪存充分发挥了UFS4.0接口的高速潜力，实现了惊人的4200MB/s顺序读取速度和3200MB/s的顺序写入速度，为...

三星全球首发量产第九代QLC闪存:一颗1Tb、写入提升100%

快科技9月12日消息，三星电子官方宣布，已经开始批量生产第九代QLCV-NAND闪存，单颗容量1Tb(128GB)。就在今年4月，三星开始量产第九代TLCV-NAND闪存，二者只间隔4个月。三星第九代QLCNAND闪存加入了多项创新：一是通道孔蚀刻(ChannelHoleEtching)。基于双堆栈架构，实现了当前业内最高的单元堆叠层数(具体...

太坑了!iPhone 16竟要用QLC闪存:容量大但寿命短

话题回到iPhone,因Apple想在不增加NAND芯片数的情况下提高iPhone的存储空间,所以必须用存储密度更高、读写速度更低的QLC闪存。但在成本控制的前提下,1TB的iPhone也会跟着用上速度更慢的QLC闪存。是缩减成本还是无奈之举?可能有人觉得用QLC不过是Apple的无奈之举,但事实上,用在闪存芯片上缩水已经成为近几年Apple...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

由于QLCNANDFlash的复杂性,每个单元有4位(因此有16个电压级别),与TLC尤其是SLC相比,写入和读取速度大幅下降。这就是为什么QLC(和TLC)SSD使用伪SLC(pSLC)缓存的原因,该缓存将SSD闪存的一部分分配给速度更快的SLC访问模式。在GabrielFerraz之前引用的教程中,通过写入超出目标SSD(Cr...

苹果有望采用可能为2TB iPhone容量铺平道路的QLC闪存

TrendForce本周表示,预计到2026年,苹果将开始发布配备四层闪存(QLC)的iPhone。这项技术将为未来配备2TB存储空间的iPhone铺平道路。与现有iPhone存储芯片所使用的三层存储单元(TLC)技术相比,QLC是一种密度更高的存储技术,因此可以在相同的物理尺寸内实现更高的存储容量。此外,就每千兆字节的价格而...

QLC闪存玩出新境界!江波龙全球首发用于eMMC 意义深远

3月20日,2024年中国闪存市场峰会(CFMS2024)在深圳举办,汇聚全球存储巨头(www.e993.com)2024年11月22日。江波龙携旗下品牌FORESEE和雷克沙(Lexar)带来了多款全新自研的存储产品,涵盖QLCeMMC存储芯片、LPCAMM2内存、CXL内存扩展模块、NM/microSD/SD存储卡等等,快科技也与江波龙多位高层进行了一番深入交流。

长江存储QLC闪存X3-6070擦写寿命已达四千次,追上TLC产品

IT之家3月28日消息,据台媒DIGITIMES报道,长江存储在中国闪存市场峰会CFMS2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。IT之家注:不同于质保寿命,消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级别的擦写寿命。

长江存储突破QLC闪存寿命!做到4000次P/E

根据维基百科的资料显示,SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多,MLC一般在1000-10000次范围,TLC目前最高就只能做到3000次,QLC的话一般不超过1000次。不过,长江存储凭借独特、优秀的Xtacking晶栈架构设计,走出了属于自己的特色道路,闪存寿命可靠性大大提升。

长江存储新一代QLC闪存,寿命可达4000次

近期,长江存储又有好消息传来,新一代QLC3DNAND闪存来了,性能一飞冲天,这意味着长江存储在技术能力方面已经足够强大,可满足企业级、消费级嵌入式场景的应用需求。在全球数据呈爆发式增长的背景下,未来会有性能更好的闪存芯片和产品不断问世,让我们一起期待。

超长寿命不可思议!长江存储QLC闪存已做到4000次PE

据长江存储的工作人员透露,他们的QLC闪存之所以能做到4000次P/E,一方面来自独特的Xtackig精湛架构,另一方面也是工艺和技术日渐成熟的结果。当然,不是所有的QLC都有这么高的水平,仅限企业级产品,而且要看良品率,消费级最高可以做到2000次左右。具体到实际产品中,情况也会有所不同,要看产品定位和设计,要结合写入...