铠侠量产首款QLC UFS 4.0闪存:读取速度高达4200 MB/s

快科技10月30日消息，铠侠宣布量产业界首款采用四层单元技术的QLCUFS4.0闪存。相比于传统的TLCUFS有着更高的位密度，使其适用于需要更高存储容量的移动应用程序。在性能方面，512GB容量的QLCUFS4.0闪存充分发挥了UFS4.0接口的高速潜力，实现了惊人的4200MB/s顺序读取速度和3200MB/s的顺序写入速度，为...

固态硬盘的寿命揭秘:你需要知道的使用与维护技巧

1.1闪存类型(TypesofNANDFlash)闪存主要分为几种类型,包括SLC(单层单元)、MLC(多层单元)、TLC(三层单元)和QLC(四层单元)。不同类型的闪存在性能、耐用性和价格上各有不同。SLC:速度快,耐用性强,但价格高昂,通常用于企业级应用。MLC:性能和价格之间的折中,适合大多数消费者使用。TLC:价格更低,适合...

长江存储QLC闪存擦写寿命已达四千次 看齐TLC产品

长江存储在展示当中表示,采用第三代Xtacking晶栈架构的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命,而一般的消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍拥有3000次P/E级别的擦写寿命,这意味着长江存储的QLC产品寿命已经超过了一般的TLC产品。长江存储CTO霍宗亮表示,目前NAND闪存行业已度过了最艰难的2023年,今年将进入上升期...

我国科学家技术突破 存储芯片无限次擦写引围观:TLC、QLC买谁 恐不...

之前有关TLC、QLC的争议不断,前者成本低,容量大,但速度慢,寿命短(企业级TLC普遍在7000~10000PE),而后者的寿命则更差,不过之前长江存储宣布,旗下QLC闪存擦写4000次,而如果上述新材料被运用到这些领域,可能会带来行业新的变革。据悉,不少欧美大厂已经注意到上述新技术,并且保持密切关注。

太坑了!iPhone 16竟要用QLC闪存:容量大但寿命短

说到底,从曾经的SLC到未来的QLC,因手机闪存容量而来的负面评价,本质上还是用户选择权逐年减少的问题。全面QLC化确实能给iPhone带来更大的存储空间,但提升手机存储空间的办法并不只有QLC这一种。暂且不提小容量版本的手机可以继续使用TLC闪存,时至今日,部分Android机依旧保留着microSD扩容的选项。

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

究其原因,主要是NAND闪存已经达到了一定的密度极限,无法再进一步扩展(www.e993.com)2024年11月21日。改变方法包括在闪存上堆叠更多层(3DNAND),以及增加单个单元内的电压电平数量,从而增加位数。虽然这提高了存储容量,但从单层单元(SLC)到多层单元(MLC)以及今天的TLC和QLCNAND闪存的过渡却带来了严重的代价,主要表现为写入周期受限和传输...

长江存储QLC闪存X3-6070擦写寿命已达四千次,追上TLC产品

IT之家3月28日消息,据台媒DIGITIMES报道,长江存储在中国闪存市场峰会CFMS2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。IT之家注:不同于质保寿命,消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级别的擦写寿命。

QLC闪存玩出新境界!江波龙全球首发用于eMMC 意义深远

它基于江波龙自研主控WM6000,以及独特的QLC算法和自研固件,已达到可量产状态,性能和可靠性媲美TLCeMMC。接口协议支持eMMC5.1,顺序读写速度分别可以达到340MB/s、300MB/s,首发容量为128GB&256GB&512GB,根据市场需求可快速推出1TB版本。对于江波龙为何首先在eMMC产品上导入QLC闪存,江波龙嵌入式存储事业部产品总监陈...

长江存储突破QLC闪存寿命!做到4000次P/E

SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来,存储密度越来越高,而寿命和可靠性不断下滑,比如作为最关键的衡量指标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。

iPhone 16 或将改用密度更高、速度更慢的QLC闪存

与TLC相比,QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据,而不是三位。这使得QLCNAND闪存在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据,或者使用更少的单元储存更多的数据。理论上,这可以降低生产成本。然而,QLC在做到这一点的同时也做出了一些牺牲。QLCNAND闪存被认为不如TLC闪存可靠,写入数据的耐久性...