北工大汪浩团队 ACB:金属边界限域Pt原子构筑实现多重氢催化转化

在过电位为100mV时,PtSA-Co@Co-Co(OH)2的Pt质量活性为5.92Amg-1,比商用Pt/C催化剂高37倍,Pt原子位点的转换频率(TOFs)比Pt/C催化剂高38.88倍,进一步证实通过在金属Co相边缘构建Pt单原子进行多重H*转化和析出,可以显著提高单原子催化剂的质量活性。图4:PtSA-Co@Co-Co(OH)2催化剂碱性电催化HER性...

天津大学韩晓鹏Angew.:空位富集的硒化镍上通过Pt-Se电子桥稳定Pt...

原子Pt与高电负性Se结合形成Pt-Se键,作为单原子和基底之间的“桥梁”,可实现快速电子平移。要点2.作者通过实验测试和DFT理论计算,证实Pt单原子在硒化镍的阳离子空位上负载良好,负载量为3.2wt%。要点3.新型Pt单原子催化剂在1KOH溶液中的HER在10mAcm-2的电流密度下显示出45mV的极低过电位。在100mV的...

苏州纳芯微电子:贵金属Pt系列 MEMS压力传感器芯片

依托成熟的汽车级的MEMS压力传感器制造平台;Pt系列MEMS压力传感器芯片满足汽车级标准AEC-Q103;Grade0级工作温度;生命周期内精度和稳定性优于1%FS;支持双引线焊盘的结构设计,增强产品的可靠性;屏蔽恶劣环境和电荷干扰的复合膜层结构,增强器件的稳定性。未来前景:随着汽车尾气污染日益严重,汽车尾气排放标准的不...

功率半导体IGBT行业研究:新能源驱动成长,国产化率加速攀升

根据固德威2021年年报,“IGBT元器件国内生产商较少,与进口部件相比,产品稳定性、技术指标存在一定差异。目前,国产IGBT元器件、IC半导体的性能稳定性及相关技术指标未能完全满足公司产品的技术要求,预计短期内不能完全实现进口替代。”3)工业:斯达半导是国内工控IGBT龙头,2019、2020年斯达工控和电源行业...

广东省市场监督管理局通报2021年度承压类特种设备生产单位证后...

4.未提供李某的PT资格证书5.未配备TSG07-2019、GB/T20801.1~6-2020《压力管道规范》等技术规范和标准6.未配备标准密度片、黑度计、观片灯7.只有1名5FG持证焊工,不符合TSGD3001-2009《压力管道安装许可规则》B.4.3.2的规定8.抽查某氮气管道安装工程档案发现如下问题:...

揭秘IGBT功率半导体!国际七巨头地位不保,国产替代黄金赛场:智东西...

IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor,即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力,已成为电力电子领域开关...

2025年可突破百亿的车载功率半导体行业,未来价值量可期

华微电子主要生产功率半导体器件及IC，目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品，其650V~1200V的Trench-FSIGBT平台产品已通过客户验证。2019年4月，华微电子拟募投8英寸生产线项目，600V-1700V各种电压、电流等级IGBT芯片是该项目的重点之一。重庆华润微重...

【公司深度】斯达半导:快速崛起的国内IGBT行业领军者

在一代又一代的工程师们的努力下,从20世纪80年代至今,IGBT芯片经历了6代升级,从平面穿通型(PT)到沟槽型电场—截止型(FS-Trench),芯片面积、饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化,断态电压也从600V提高到6500V以上。

关于公布2006年国家免检产品及生产企业的通知

484输变电设备及器件汕头自动化电气集团有限公司汕自中低压开关柜系列485输变电设备及器件深圳市深开电器实业有限公司SK0.4—12kV中、低压开关柜486基础电子元器件和材料风帆股份有限公司风帆、sail及图案铅酸蓄电池36Ah-200Ah487基础电子元器件和材料山西吉天利科技实业有限公司吉天利通信用阀控...

盘点:国内IGBT产业链主要企业

IGBT方面,其以IGBT实际应用为设计基础,使用NPT(非穿通型)和沟槽型FS(场终止型)IGBT技术为大功率应用客户提供优质可靠的系统解决方案。·无锡新洁能无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发设计及销售,主要产品按照是否封装可分为芯片和封装成品,广泛应用于消费电子、汽车...