盘点努比亚原装快充内置的主控芯片

主控芯片采用东科半导体DK8715AD,这是一颗基于不对称半桥架构,集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片,其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS,副边整流管ZCS,从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力,内置全范围抖频电路,从而减小开关损耗并改善电磁干扰。内置同步整流芯片MPS芯源半导体MP690...

联想充电器AC-DC主控芯片选型变化_腾讯新闻

初级控制器为安森美NCP1342,这是一颗高频初级PWM控制器,内置主动X2电容放电和多重完善的保护功能。支持高频开关,集成度高。内置同步整流芯片Silergy矽力杰SY5238同步整流控制器在两颗滤波电容之间,来自矽力杰,丝印W7,实际型号为SY5238,是一颗支持QR反激和矽力杰私有ZVS反激的同步整流控制器,具备自适应的栅极电压...

一文了解杰华特历年拆解案例|电源|信号|电容|控制器|转换器_网易...

杰华特JW1550A是一款有源钳位反激控制器,可以实现ZVS开通,提高效率,满足高频应用的需求;同时回收漏感能量,进一步提高效率;芯片加入抖频功能,改善系统的EMI性能;同时支持X-cap放电;供电内置Boost电路,适合宽范围输出应用,并且节省供电损耗;外围电路简单,方便应用。应用案例:1、拆解报告:CE-LINK142W3C1A氮化镓充电器...

干货|超结功率MOSFET输出电容迟滞效应及ZVS软开关影响

1、超结功率MOSFET输出电容迟滞效应高频高功率密度开关电源为了提高效率,通常使用零电压ZVS软开关技术。功率MOSFET开通前,COSS电压VDS为直流母线电压,COSS电容储存能量,通过外加电感L和COSS串联或并联,形成LC谐振电路,COSS放电,VDS谐振下降;当VDS谐振下降到0时,功率MOSFET内部反并联寄生二极管自然导通续流,VDS电压几乎为0...

功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识

功率MOSFET零电压开关ZVS是其最常用的软开关方式,ZVS包括零电压的开通、零电压的关断,下面介绍这二个过程的实现方式。1、功率MOSFET零电压的开通功率MOSFET要想实现零电压的开通,也就是其在开通前,D、S的电压VDS必须为0,然后,栅极加上VGS驱动信号,这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中,通常方法就是利...

高性能ZVS降压稳压器消除在宽输入范围负载点应用中提高功率吞吐量...

图9是在24VIN至2.5VOUT(9.6:1)10A设计中,电流同类竞争硬开关解决方案与ZVS降压拓扑之间的性能差异(www.e993.com)2024年11月28日。满负载效率差异接近6.5%(轻负载效率也有明显差异),因此9A测量点上功耗降幅超过52%。图9ZVS降压9.6:1步降24V～2.5V(10A时)性能与同类竞争解决方案的比较...

移相全桥ZVS变换器的原理与设计

ZVS准谐振高频开关电源是一个完整的闭环系统,它包括主电路、控制电路及CPU通讯和保护电路,如图1所示。从图1可以看出准谐振开关电源的组成与传统PWM开关电源的结构极其相似,不同的是它在DC/DC变换电路中采用了软开关技术,即准谐振变换器(QRC)。它是在PWM型开关变换器基础上适当地加上谐振电感和谐振电容而形成的,...

知晓|-5~3℃,北京:在重点园区率先实现高频政务服务事项100%全程网...

北京:在重点园区率先实现高频政务服务事项100%全程网办国务院批复同意《支持北京深化国家服务业扩大开放综合示范区建设工作方案》,完善公共服务政策环境。在推进政府职能转变方面,加快数字政府建设,在重点园区率先实现高频政务服务事项100%全程网办,新业态、新模式涉及的行政许可事项办理“最多跑一次”。

产业丨电源模块封装技术,大势来袭!

新架构结合高频开关拓扑及控制系统中的ZVS与ZCS优化,不仅进一步降低了功耗,还实现了电源模块集成度的显著提升,这正是推动VIChip封装不断革新的核心动力。ChiP封装在AI等高增长应用领域展现出了巨大潜力。特别是在处理器电流强度已突破1000A的应用场景中,PCB铜箔电源层的配电损耗已成为制约性能的关键因素。

合封氮化镓快充芯片龙头企业曝光

针对氮化镓快充市场，杰华特AC-DC产品线于2020年Q2推出了国内首颗有源钳位反激（ACF）控制器JW1550和国内首颗高频同步整流控制器JW7726B，并于2021年Q1推出了高性能高频QR控制器JW1515H，助力电源产品高能效和小型化发展。其中JW1550采用自主研发的新型自适应ZVS控制技术，可以实现主功率管的ZVS开通，同时回收漏感能量...