MOS管G极与S极之间的电阻作用
2.MOS管G极与S极之间的电阻作用反激电源图:R3为GS电阻用一个简单的实验证明GS间电阻的重要性:取一只mos管,让它的G极悬空,然后在DS上加电压,结果发现输入电压才三四十伏的时候,MOS管的DS就会直接导通,如果不限流则可能损坏。按说此时没有驱动,MOS管不应导通。但其实由于MOS管寄生电容的存在,当在DS之间加电...
mos管基础知识及选型需要注意哪些参数?
MOS管是压控型,导通由G和S极之间压差决定。对NMOS来说,Vg-Vs>Vgs(th),即G极和S极的压差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,否则烧坏MOS管,开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。与三极管...
MOS管GS电阻有什么作用?
2.MOS管G极与S极之间的电阻作用反激电源图:R3为GS电阻用一个简单的实验证明GS间电阻的重要性:取一只mos管,让它的G极悬空,然后在DS上加电压,结果发现输入电压才三四十伏的时候,MOS管的DS就会直接导通,如果不限流则可能损坏。按说此时没有驱动,MOS管不应导通。但其实由于MOS管寄生电容的存在,当在DS之间加电...
MOS管基础及选型指南
MOS管是压控型,导通由G和S极之间压差决定。对NMOS来说,Vg-Vs>Vgs(th),即G极和S极的压差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,否则烧坏MOS管,开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。▉与...
轻松达成8000MT/s 微星B760M迫击炮2代主板评测
整个供电区域由两个金属I/O盔甲覆盖,并且提供导热垫辅助MOS管散热。CPU供电接口采用双8pin设计,单8pin能输出300W左右,除了i9级别的旗舰酷睿,一般单8pin就能满足需求了,不过如果插满双8pin能缓解单8pin供电线的发热。内存方面,微星B760M迫击炮2代主板这次提供了4根DDR5内存插槽,频率从一代的7200MT/s升级到了7800...
为何AOS万国MOS管广受苹果、索尼青睐?看完这篇文章秒懂
为何AOS万国MOS管广受苹果、索尼青睐?看完这篇文章秒懂前言充电头网了解到,Alpha&OmegaSemiconductorCo.,Ltd.(简称AOS)成立于2000年9月,纳斯达克IPO2010.4(AOSL),总部位于美国加利福尼亚州的硅谷,是全球一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的从事功率半导体的研发和生产的高新技术企业(www.e993.com)2024年8月1日。2023年全球...
一文了解那些显示器都在用的MOS管
内置MOS型号新洁能NCEP1520K新洁能NCEP1520K是一颗耐压150V,导阻59mΩ的NMOS管,采用TO252封装。在红米显示器作为升压开关管使用。新洁能NCE30PD08S两颗MOS管来自新洁能NCE30PD08S,是一颗双PMOS管,耐压30V,导阻16mΩ,采用SOP8封装。LGUltraFine275K显示器...
彻底弄清MOS管 (NMOS为例
4.mos管是个开关,栅极(G)是控制端,它控制着源极(S)和漏极(D)之间是否能导通,即是否可以通过电流。5.源极和漏极导通电流的意思是,给他们两加一个电压源,可以形成电流,从漏流到源也行,从源流到漏也行,这个电流是空穴移动产生的也行,是电子移动产生的也行。
不同的电平信号的MCU如何通信?
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。2、场效应管是电压控制电流器件,由VGS控制ID,普通的晶体三极管是电流控制电流器件,由IB控制IC。MOS管道放大系数是(...
打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
意法半导体SRK2001是一颗用于LLC谐振转换器的自适应同步整流控制器,内置双NMOS驱动输出,支持32V供电电压,具备35ns的总关断延迟,支持标准驱动电压的同步整流管。另外,这款芯片具有自适应屏蔽时间的导通逻辑和自适应关断逻辑,可最大限度地延长SRMOSFET导通时间,从而无需使用寄生电感补偿电路。