??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
场效应管的开关电路应用非常广泛,由于其为电压控制型,而且内阻非常小,常常应用在各种大电流开关控制电路中。例如,热敏微型打印机电源开关、外部电源输出开关等等。简单的说,一般小电流开关电路可以适用三极管,大电流开关电路使用场效应管,这里就不在列举实例了。和三极管一样,其开关并不是绝对的,虽然说,在一定的工作...
集成MOS沟道二极管的新型垂直GaN场效应晶体管反导特性和单事件...
垂直GaN器件如电流孔径垂直电子晶体管(CAVET)、沟槽MOS场效应晶体管(MOSFET)和鳍状场效应晶体管已被报道。氮化镓垂直晶体管中的固有p-i-n二极管作为自由旋转二极管(FWD),具有高导通电压。外部反并联肖特基势垒二极管(SBD)作为FWD会增加体积尺寸,并引入无意的寄生电容和电感。研究内容在这项工作中,提出了一种新型的...
孙其君研究员团队AFM:基于范德华异质结的摩擦电垂直场效应晶体管
近日,中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士和孙其君研究员团队通过集成摩擦纳米发电机与石墨烯/二硫化钼(MoS2)垂直异质结,构筑了摩擦电垂直场效应晶体管新器件(tribotronicVFET),该器件在垂直方向上具有纳米级沟道长度,并展现出较大电流开关比和较高的开态电流密度。该摩擦电VFET器件由垂直堆叠的石墨烯/MoS2/...
立昂微扣非净利润连续亏损 上市后累计募资约88亿元
立昂微扣非净利润连续亏损上市后累计募资约88亿元4月23日,立昂微发布季度报告称,2024年一季度,立昂微实现营业收入6.79亿元,同比增长7.41%;归属于上市公司股东的净利润-6315.14万元,同比下降283.38%;扣除非经常性损益的净利润-4,936.15万元,同比下降310.12%。其称,报告期内,得益于半导体行业景气度的见底回暖及公司加...
一颗CMOS,卷出一个千亿芯片市场
CCD(电荷耦合元件)为MOS结构(金属氧化物半导体),上有许多排列整齐的电容(MOS电容器),将光子转换为电子来捕获图像。而CMOS(互补金属氧化物半导体)为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)结构。CCD传感器为被动式采集,需外加电压让每个像素中的电荷移动,而CMOS传感器为主动式采集,感光二极管所产生的电荷,直接由晶体...
...控股的功率半导体设计公司广微集成目前主要产品包括MOS场效应...
公司控股的功率半导体设计公司广微集成目前主要产品包括MOS场效应二极管(MFER)和分离栅低压场效应晶体管(SGT-MOSFET),MFER主要应用在光伏接线盒、储能BMS、电源适配器、工业PFC等场景,SGT-MOSFET主要应用于储能BMS电源输出和电路保护系统,未来也可拓展至新能源汽车电子领域(www.e993.com)2024年7月30日。感谢您的关注!
irfb4227场效应管替代料200v mos管SVT20240NT参数
SVT20240NT是72A、200VN沟道增强型场效应管,采用TO-220-3L封装,漏极电压VDS=200V,漏极电流Tc=25℃ID=72A,导通电阻RDs(on)(典型值)=19.7mΩ@Vcs=10V,是IRFB4227国产替代料,广泛应用于功放市场、UPS电源、通信电源等不间断电源及逆变器系统的电源管理,更多进口替代料产品手册及参数,请向士兰微MOS代理...
如何测量MOS管好坏,详细版本
测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。MOS管引脚具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号...
一文了解如何区分三极管和MOS管?
选用MOS管还是三极管?1.场效应管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。2.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而三极管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之...
冠华伟业为你解读MOS管各项参数!
MOS管测试条件一般是在2.5V、4.5V、10V。V(BR)DSS漏源击穿电压是指栅源电压VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。V(BR)DSS/△Tj:漏源击穿电压的温度系数,一般为0.1V/℃...