长江存储在美起诉美光 指控侵犯8项3D NAND专利

据悉,长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3DNAND产品。长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已...

测一测长江232层QLC颗粒 ACER 擎 N7000 4T测评

颗粒采用的是丝印为VWN0AQF1B1JCAD的长江存储232层QLC颗粒,由佰维封装,单面四贴的设计,佰维的编号也没啥释义,所以还是得上flashID。不过很遗憾,flashID不识别这个版本的主控「1602主控是支持的,但是不支持F3C后缀的」,所以没法通过软件检测颗粒是哪种类型的。按照产品时间各方面,我们推测是X3-6070颗粒,也...

长江存储的逆袭:从落后到领先,中国存储芯片的辉煌之路

说真的，美国这一招确实挺厉害的。长江存储受到限制后，三星、SK海力士、美光这些巨头就迅速借这个机会，推出了232层堆叠的3DNAND闪存产品。而且啊，他们还没停下脚步，又跨进了另外一档，比如300层这个档次，反超了长江存储。就像美光，最近就推出了G93DNAND产品，进入了296层。美国这就是想让长江存储在制裁...

被美国打压后,长存进行国产替代,但技术倒退至160层?

据TechInsights对长存TiPlus7100SSD的拆解，发现了可能应用xtacking4.0工艺的颗粒。TechInsights表示，这款产品晶粒密度为12.66Gb/mm2，芯片密度为0.632mm2/GB，而层数大约为160层。与之前232层相比，从层数来看，确实是倒退了76层，从232层倒退至160层了。为何会倒退了呢？专业人士表示称，这是因为逐渐加大...

长江存储起诉美光!

近日,长江存储在美国对全球知名半导体厂商美光提起诉讼,指控其侵犯其在美国的11项专利。长江存储表示,此次诉讼涉及的专利包括3DNANDFlash及DRAM产品,涉及到的专利数量达到11项,其中部分专利甚至涉及到了96层、128层、176层和232层等不同层数的3DNANDFlash产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器...

3D闪存哪家强:姜还是三星的辣 长江仅次之

总结来看,三星每一代产品的VCE都是最高的,比如采用单层结构的128层是94.1%,176层COPV-NAND是92.1%,236层2ndCOPV-NAND是94.8%(www.e993.com)2024年11月26日。YMTC的232层Xtacking3.0的VCE是91.7%,美光232层是91%。铠侠162层的VCE稍低一些,为88%。SK海力士238层共有259个门,VCE为91.9%,仍然低于三星的236L。

国产替代加速,长江存储成功用国产设备造出3D NAND芯片

2022年8月，长江存储全球首发布232层3DNAND芯片，工艺水平一时超过了存储行业的三巨头（三星、SK海力士、美光）成为当时的全球第一。也是这一年10月，美国禁止向中国出售先进的芯片制造设备，并在年底把长江存储列入了实体清单，使其不能从美国获得128层及以上的3DNAND的晶圆制造设备和技术。到了第二年，2023年，...

长江存储背后的武汉“芯”时代

也正是凭借此技术,2022年,长江存储成为世界上第一个可以量产232层NAND闪存堆叠的公司。而此次美光被控侵权的产品中,就包括了232层3DNAND产品。即便遭遇“逆风逆流”,武汉政府和企业也勇开顶风船、无惧回头浪,扎实推进自主产品的发展与创新。去年底,美国突然加大了长江存储的制裁,后者也因此只能缩减扩产规模,甚至...

在美起诉半导体巨头,这家中国芯片公司什么来头?

长江存储在去年、今年分别向美光发起的两次专利诉讼,共涉及19项专利。长江存储认为,美光的96层、128层、176层和232层内存芯片以及部分DDR5DRAM芯片(Y2BM系列)涉嫌侵权。在两次的起诉中,长江存储的诉求基本一致,即请求法院禁止美光在美销售相关产品,赔偿侵权损失;若法院拒绝申请永久禁令,则美光需向其支付持续性许可...

2023年NAND发展概况:层数增加,QLC改进

美光232层NAND示意图。各大厂商均开始单独制造NAND控制逻辑,并将其放置在芯片的底部或顶部。标准SSD使用TLC(三层单元)闪存,但SK海力士子公司Solidigm和长江存储等厂商则专注于开发QLC(四层单元)NAND,并通过超额单元配置和更好的写入周期管理功能来补偿QLC较低的写入周期寿命。