开关功率晶体管的选择和正确操作
如果下晶体管导通,它会自动在上晶体管的栅极和源极之间施加12V电压。请注意,JFET在栅极电压为零时完全导通。如果驱动下晶体管的输入=栅极,则上晶体管(JFET)的源极将被拉至零,因此栅极和源极之间的电压变为零。上晶体管的栅极-源极电容由下晶体管极低(毫欧)的Rdson放电。如果下晶体管关...
美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”
专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...
【专利解密】比亚迪IGBT产业再创新高
第一、第二导电类型区均采用了高斯或线性分布的掺杂浓度,并通过注入、驱入扩散等方法进行掺杂。其主要区别就是第一导电区为重掺杂,而第二导电中的类型区7、附加区11和截止层12均采用了轻掺杂方式。另外,第二导电类型附加区11的设置使得在器件承受反偏电压时将耗尽区连接起来,起到保护栅极沟槽区5的作用。而且,...
芯片设计流片、验证、成本的那些事
工艺角(ProcessCorner)PVT(PrecessVoltageTemperature)工艺误差与双极晶体管不同,在不同的晶片之间以及在不同的批次之间,MOSFETs参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难,工艺工程师们要保证器件的性能在某个范围内,大体上,他们以报废超出这个性能范围的芯片的措施来严格控制预期的参数变化。①MOS管...
...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“,授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接...
标题仅三个单词!有机双极晶体管,登上《Nature》
放大的现象证明了少数载流子通过基底的扩散,对于具有1wt%基底掺杂的器件,少数扩散长度至少为20nm(www.e993.com)2024年9月11日。基于一组新器件的OBJT操作显示器件具有改进的电极几何形状,寄生电极重叠面积的减小提高了晶体管性能,这与TCAD模拟一致。作者进一步通过拟合经典的双极跃迁关系估算了空穴通过n掺杂红荧烯的扩散长度与校准的TCAD模拟一起...
双极晶体管基础知识解析
双极型晶体管极限参数★最大集电极耗散功率如图所示。★最大集电极电流:使b下降到正常值的1/2~2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。★极间反向击穿电压:晶体管的某一电极开路时,另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压,超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时,击穿电压要...
功率晶体管的历史和新兴设计
功率双极晶体管架构(图1左侧)与信号晶体管不同,它需要支持高电压和控制功率应用中所需的高电流。功率晶体管需要垂直结构,其中一个高电流端子(集电极)位于芯片底部,另一个高电压端子(发射极)在顶部。基极端子必须与发射极交叉,由于发射极拥挤效应,通态电流集中在发射极边缘。需要具有低掺杂浓度的厚漂移区来支持高电压...
晶体管的发展史:技术如何逼近极限?
由于NMOS晶体管的静态功耗要比CMOS高,因此IC的功耗在1980年代成为一个严重的问题,因为成千上万个晶体管被集成到一个芯片中。由于具有低功耗,可靠的性能和高速等特性,CMOS技术将在几乎所有数字应用中采用并取代NMOS和双极性技术。在接下来的几年里,CMOS的缩放和加工技术的改进推动电路速度的不断提高,以及芯片封装密...
晶体管发展历程回顾
图1.NMOS晶体管的结构B.为什么用多晶硅作为栅极材料?在半导体工业的早期,金属铝通常用作MOS的首选栅极材料。但是后来,多晶硅被优选作为栅极材料。向多晶硅过渡的两个主要原因如下文所述。早期的MOS制造工艺始于源区和漏区的定义和掺杂。然后,使用限定了栅极氧化物区域的栅极掩模,该栅极氧化物区域随后将形成铝金属...