一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
高选择性的刻蚀工艺确保了各层之间的电气隔离和物理完整性,提高了器件的性能和可靠性。4.工艺的可控性和重复性:高精度的刻蚀工艺能够确保制造过程的可控性和重复性,使得大规模生产具有一致性和高良品率。这对于半导体工业的经济效益和市场竞争力至关重要。例如,在大规模生产DRAM芯片时,刻蚀工艺的精确控制能够确...
填补国产刻蚀工艺应用空白,北方华创助力上海ICRD 14nm SADP自主...
其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率,凭借其优良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势,北方华创的NMC612DICP刻蚀机为相关工艺的成功开发做出了重大贡献,并为5nmSAQP技术的自主开发奠定了坚实的基础。
小线宽光刻,只能用EBL?DUV步进光刻的千倍效率了解一下!
刻蚀选择比方面基本不用担心,无论是刻金属还是刻Si,厚度基本都够用。3.成本低既然是为量产而生,成本控制方面自然有极大优势。以EBL200片需求、1w/片为例,用步进光刻,除去掩膜版mask的固定成本支出,除去工艺匹配、调试等时间,EBL200w的项目预计只需40w即可,成本仅为20%。DUV步进光刻机参数下面详细介绍...
等离子体刻蚀在半导体图案化中工艺流程
首先,对于栅极层,应利用带有多晶硅刻蚀选择性的氯基等离子体(硅+氯气)去除硅。对于底部绝缘层,应使用具有刻蚀选择性和效力更强的碳氟基等离子体源气(二氧化硅+四氟化碳)分两步对二氧化硅膜进行刻蚀。2.纵横比(A/R)在半导体技术的微观世界里,纵横比(AspectRatio),即结构垂直高度与水平宽度的比例(高度除以宽度)...
晶合集成申请半导体专利,简化了提高刻蚀选择比的方法
掺杂衬底的主体部分的厚度大于掺杂衬底的厚度的一半,在常温下经由残存掺杂衬底的顶面注入热辐射波,使得残存掺杂衬底的温度升高至目标温度,并使得器件晶圆的外延层保持常温,最后湿法刻蚀并去除残存掺杂衬底,提高了刻蚀选择比,简化了提高刻蚀选择比的方法,降低背照式半导体结构中刻蚀的经济成本的同时还可减少对环境的污染。
GPU互连,ALinkSystem破局
可以想象,将所有的流量集中到ScaleOut互连将会是极度复杂且不合理的系统方案,以训练场景为例,当训练规模达到10w卡以上,每张卡直接都通过TB/s的带宽达到全互连是灾难性的(www.e993.com)2024年9月8日。这意味着强劲的ScaleUp结合ScaleOut进行GPU集群扩展是最合理的选择。场景视角:AI应用有着显著的特点,GPU是超多核的编程模型,和擅长通用性...
市场需求与技术迭代双驱动,先进封装设备迎高速成长
近年来,国内企业在深硅刻蚀设备领域也取得了显著进展。例如,中微半导体和北方微电子等公司研制的深硅等离子刻蚀机已经能够投入硅通孔刻蚀的研发及量产中。其中,北方微电子的DSE200系列刻蚀机能够实现高达50:1的硅高深宽比刻蚀,并具备优良的侧壁形貌控制和刻蚀选择比。
JACS:开放多孔MOF的选择性刻蚀,显著增强氧还原反应活性
近日,名古屋大学YusukeYamauchi、华东师范大学韩布兴、XiaWei和南京航空航天大学何建平等报道了一种通过螯合剂辅助选择性刻蚀来构建金属有机骨架开孔结构的方法。具体而言,研究人员选用同时含有S和O元素的二甲酚橙(XO)作为螯合剂,通过与酸性刻蚀剂中的质子结合,在初始阶段保持较低的初始质子浓度,从而实现对极性...
梁杏:红利or科技?成年人不做选择!下半年投资主线展望
所以当时选了这只指数,就是想给大家每个月做分红。我需要这个指数的红利又要高又要稳,最好这个指数历史表现还不要差。我们是做了一个量化的打分,通过这样的模式,把这个指数筛选出来的,也非常适合当下市场的风格,建议大家可以多多去关注。哑铃型策略的另外一端就是科技成长板块,如果想有一定的进攻性,是可以关注...
什么是冰种玉瓷?它与冰种玉瓷砖、冰种玉瓷 *** 有何关联?
***冰种玉髓手镯需要选择优质的原料玉石,并经过精细的使用打磨和雕刻工艺,保持玉石的纯净和透明度。4.冰种玉髓手镯的保养***有哪些?冰种玉髓手镯需要注意避免碰撞、化学药品或酸碱物质的接触,定期用干净的柔软布擦拭并避免长时间暴露在阳光下。5.冰种玉髓手镯的烧制价值体现在哪里?