【科技自立自强】西安交大科研人员在全新有序双过渡金属二维碳...
迄今为止,只有少数碳氮化物或氮化物是通过直接蚀刻相应的氮化物MAX相或采用后氨化法合成碳化物MXenes。基于有序双过渡金属二维碳氮化合物o-MXene实验尚未报道,对其在锂离子电池储能方面应用潜力也有待于阐明。西安交通大学电气工程学院新型储能与能量转换纳米材料研究中心肖冰教授与成永红教授课题组合作,通过第一性原理反应...
用于金属材料表面改性的脉冲电子束技术
这是因为在近表面层形成了高强度淬火状态,以及在应力场作用下材料在较大深度处发生了应变硬化。
蚀刻(Etch)的原理、设备及工艺简介
化学蚀刻:利用化学反应直接溶解掉基片表面的材料。其反应速率受到蚀刻液浓度、温度和基片材质的直接影响。物理蚀刻:通过物理手段(例如离子轰击)直接移除材料。虽然蚀刻速度快,但可能对基片造成一定的物理损伤。混合蚀刻:结合化学和物理蚀刻的优点,常见于等离子体蚀刻技术中,利用化学反应和物理冲击共同作用于材料,实现高效...
五大高校科研团队在集成电路上有最新突破!
着手调节金属与半导体接触间的基本相互作用是克服高接触电阻的本质途径。这项研究通过第一性原理计算揭示了相比范德华力,氢键可显著增强电子的隧道效应且未引入金属诱导的间隙态,有望实现逼近量子极限的接触电阻,从而为保持清洁接触界面的同时克服范德华集成的限制提供了一个通用途径。通过利用低温全溶液方法,作者在表面...
面向4G通信的印制电路板蚀刻绝缘技术 广东省科学技术厅
②技术原理:蚀刻绝缘技术主要通过蚀刻工艺去除导电孔焊盘,以实现导电孔与金属器件绝缘的目的。性能指标:1)板厚≤4.0mm(使用真空塞孔设备);2)层数≤28L(使用真空塞孔设备);3)一钻刀径≥0.25mm(导电孔越小,制作难度越高);4)蚀刻深度≥25μm(常规蚀刻深度35μm-50μm);5)塞孔/不塞孔间距≥4mil;...
“吃豆人”机理:多尺度理论模拟揭示石墨烯切割的奥秘
研究表明,金属纳米粒子与石墨烯接触时,石墨烯边缘的碳-碳键被附近的金属原子弱化直至切断,形成的悬挂碳原子处于多个金属原子包围中,在悬挂键断裂后被吞入金属纳米粒子内部(www.e993.com)2024年10月18日。这一过程类似吃豆人游戏中的吃豆过程,因此相关的机理被称为“吃豆人”机理。被蚀刻的碳原子最后扩散到金属纳米粒子表面,在那里与氢反应形成碳...
芯片开发与整车开发的协同适应策略探讨
在基础运行控制方面,芯片是关键。现代汽车的发动机控制单元(ECU)、传动系统控制单元(TCU)和车身控制模块(BCM)等组件都依赖高性能芯片。这些芯片通过精准的数据处理和控制算法,确保各系统高效协作,提供稳定、安全的驾驶体验。在ADAS中,芯片的应用也越来越广泛。ADAS技术利用传感器获取环境数据,并通过芯片进行处理和分析,...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
总之,半导体产品的复杂度和性能的提高离不开刻蚀和沉积技术的不断发展和创新,这些工艺技术的发展,使得从早期的4-bitDRAM到现代的MLC3DNAND等复杂器件的制造成为可能,推动了半导体工业的整体进步。本文章旨在全面介绍和深入探讨半导体刻蚀工艺,包括其基本原理、工艺步骤、设备与材料、应用领域、技术挑战及其解决方案...
集成光子封装的双光子3d打印技术,打印微透镜耦合和光子引线键合
硫族化物玻璃在高速和低温下沉积,产生富含AsS6笼的初始结构,然后可以将其转换回稳定的As24S3网络,从而能够通过湿法蚀刻选择性地去除剩余材料。类似地,Yu等人发现了一种金属有机框架,92其荧光可以通过直接激光写入(作为双光子过程)或直接紫外照射进行空间调制。总之,与直接激光写入兼容的大型...
和美相比 中国科技到底是巨弱无比还是强悍到窒息
芯片制造有很多道工序,中微做的是其中的一环,叫做蚀刻机。在蚀刻机这一环做到世界领先当然很好,但中国在许多其他环节依然是落后的,甚至在有些领域是一片空白。媒体的炒作,对尹志尧来说,不但是浪费时间,牵扯精力,而且会影响商业利益,扰乱企业经营。这实际上是损人利己。