下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试

氧化镓(Ga2O3)探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器,主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约,例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、...

鸿海布局第四代半导体跨大步 携阳明交大突破氧化镓技术

第四代半导体氧化镓(Ga2O3)因其优异的性能,被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙(4.8eV)、超高临界击穿场强(8MV/cm)等特性,较现有的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料具有显著优势,这些特性使得氧化镓特别适用于电动车、电网系统、航空航太等高功率应用场景。鸿海认为,氧化...

【日程安排+参会指南】12月5-7日,第三代半导体、超精密加工、金刚...

Carbontech2024展览会设置半导体与加工、绿色能源两大展区主题,其中W1馆半导体及加工展涉及碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓、立方氮化硼、氮化铝等宽禁带半导体材料与器件;超硬材料与工具、半导体研磨抛光、切割、键合、封装等关键环节;培育钻石与珠宝展示。01组织机构主办单位:DT新材料联合主办:北京先进材料产业促进...

浙大自主研发大尺寸氧化镓单晶衬底,为国家重大需求提供有力支撑

作为一种新型的超宽禁带半导体材料，氧化镓具有很多卓越的电学特性，比如约为4.8eV的超宽带隙、高达8MV/cm的击穿电场强度等，广泛应用在电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信的电力电子器件中。我国正大力开展相关研究，以获得更低成本、更高质量的氧化镓单晶及衬底。其中，浙江大学科研团队自主研发氧化镓专用晶体生...

氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展

科技日报合肥12月12日电(记者吴长锋)12日,记者从中国科学技术大学获悉,日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会(IEEEIEDM)上,中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)被大会接收。

浙大杭州国际科创中心发布最新科研成果:氧化镓晶圆

“成功实现了6英寸氧化镓晶锭,包括衬底加工和制备的过程(www.e993.com)2024年11月14日。”浙江大学杭州国际科创中心研究员介绍,这样的氧化镓晶圆已达到国际领先水平,它具备更低的导通电阻、更高的击穿电场强度等特性,在轨道交通、智能电网、新能源汽车等高功率电子器件高需领域都有着广泛的应用。

中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展

1、高耐压氧化镓二极管目前,由于氧化镓P型掺杂仍然存在挑战,氧化镓同质PN结作为极其重要的基础器件暂时难以实现,导致氧化镓二极管器件缺乏采用同质PN结抑制阳极边缘峰值电场(例如场环、结终端扩展等)。为此,采用其他合适的P型氧化物材料与氧化镓形成异质结是一种可行解决方案。P型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点...

第四代半导体氧化镓蓄势待发!

资料显示,氧化镓作为第四代半导体材料代表,具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好(几乎是碳化硅的10倍)、材料生长成本低等优势,这些特性使得氧化镓特别适用于电动汽车、电网系统、航空航天等高功率应用场景。鸿海认为,氧化镓将有望成为具有竞争力的电力电子元件,能直接与碳化硅竞争。展望未来,鸿海研究院表示,随着...

金刚石芯片技术:加速发展的未来半导体革命

针对新型半导体(金刚石、氧化镓、氮化镓、碳化硅、AlN……)以及超精密加工(材料、工艺、设备)设置宽禁带半导体及超精密加工论坛金刚石前沿论坛两大论坛。展会针对金刚石及其功能化应用主题、半导体超精密加工设置10000㎡专题展区,将展示最新金刚石晶圆、量子钻石、热沉金刚石等功能化产品及相关器件,欢迎莅临现场交流、合作...

国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究...

7月19日,国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目2024年度年中交流会在杭州光学精密机械研究所(以下简称“杭州光机所”)召开。国家自然科学基金委员会高技术中心原副主任卞曙光,张龙副所长,重点研发计划项目负责人齐红基研究员,中国科学院上海硅酸盐研究所科技...