科技| 麻省理工团队成功研制出全新纳米级 3D 晶体管:量子效应加持...

为了克服这一限制,美国麻省理工学院团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。值得一提的是,这项研究部分由英特尔公司资助。他们也使用了垂直纳米线场效应晶体管(VNFET)技术,通过垂直定向结构而非传统的水平布局来管理电子流,从而避开了与水平晶体管相关的一些限制。...

复旦大学微电子学院周鹏团队与北邮合作揭示铁电晶体管中极化电导...

层状铁电半导体兼备原子级超薄与铁电性,为小尺寸逻辑和非易失性存储在存内计算技术中应用提供了理想路径。然而,由于铁电沟道场效应晶体管(FeCFETs)中存在铁电极子与电子重构耦合,无法继续沿用传统器件物理原理,使得FeCFETs中极化相关的电导调控机制变得难以精确控制。因此要实现高性能层状铁电半导体的先进逻辑和存储器件,...

垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)又有新消息

CFET(垂直堆叠互补场效应晶体管)是一种CMOS工艺,其中晶体管垂直堆叠,而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面,比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管(NSFET,也称为环栅或GAA)。CFET将会被用于未来更为尖端的埃米级制程工艺。本文引用地址:CFET的概念最初由IMEC研究机构提出,被认为是继环栅多通道...

麻省理工团队成功研制出全新纳米级3D晶体管

这种全新的3D晶体管采用了垂直纳米线场效应晶体管(VNFET)技术,通过垂直结构管理电子流,有效规避了传统水平晶体管的限制。据悉,该晶体管的直径仅为6纳米,能够在远低于传统硅晶体管的电压下高效运行,同时性能与之媲美。这一成果被认为是对现有硅基技术的有力挑战,并为高性能电子器件的开发提供了新路径。除了垂直纳米...

中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管

近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展,分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术,首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-modeβ-Ga2O3U-shapedgatetrenchverticalMOSFETrealizedbyoxygenannealing”和“...

南京理工大学和南京大学合作团队 | 基于二维材料场效应晶体管的高...

在本工作中,合作研究团队利用具有优异空穴传输特性的二维半导体二硒化钨(WSe2)作为沟道材料,通过设计栅极电场与衬底偏压的协同调控策略,成功构筑了一种性能稳定的P型场效应晶体管(www.e993.com)2024年11月14日。该器件不仅展现出了高达105的场效应开关比,其输出电流特性更是趋近于理想饱和状态,展现出高达107Ω的小信号输出阻抗,这一特性预示着该器...

ACS Nano:石墨烯场效应晶体管上的栅控可调分子扩散!!

本文展示了一种控制干净石墨烯场效应晶体管(FET)表面上F4TCNQ分子扩散的方法,该方法通过静电门控来实现。通过调节石墨烯FET的背栅电压(VG),可以在分子吸附物之间切换负电荷和中性电荷状态,从而导致它们的扩散特性发生显著变化。扫描隧道显微镜(STM)测量揭示了中性分子的扩散性随着VG的减小而迅速降低,并涉及旋转扩散过程...

有机电化学晶体管及其在生物电子学领域的应用进展

有机电化学晶体管(organicelectrochemicaltransistor,OECT)具有高跨导、低工作电压和高灵敏度等特点,在逻辑电路、传感器件、健康检测和仿生电子等领域显示出广泛的应用潜力.OECT器件采用独特的液态电解液结构,赋予其优异的水介质稳定性和生物兼容性,能够将微弱的离子

...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...

图5.在650nm光照下二硫化钼场效应晶体管的光电响应。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials图6.二硫化钼场效应晶体管负光电导效应原理示意图。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials该成果以“基于外延铁电栅的具有负光电导和高响应度的双极性MoS2场效应晶体管”(AmbipolarMoS2FieldEffectTransistorswithNegative...

...胡平安教授ACS Nano:柔性可穿戴式场效应管传感器用于汗液中...

基于二维材料(如MoS2和石墨烯)的场效应晶体管传感器因其无标记、快速响应和高灵敏度等优点而备受关注,在人体代谢物和离子检测方面得到了初步应用。然而,在真实的检测中,人体外分泌液(如汗液)中杂质分子的存在会严重干扰痕量蛋白的有效检测。因此,开发能够直接检测未稀释汗液中细胞因子的可穿戴设备成为临床研究的焦点。