【解密】厦门芯光润泽新型碳化硅MOSFET器件
从图中可以看出碳化硅MOSFET器件由于具有TJBS结构(沟槽结势垒肖特基二极管结构),器件泄漏电流得到了有效降低,从而能够降低了器件功耗。以上就是芯光润泽公司提出的新型碳化硅MOSFET器件及其制备方法,在国际半导体市场持续保持高速增长而国内市场自给率不足的情况下,相信厦门芯光润泽科技能够通过技术创新找到我国芯片产业健康发...
采样保持电路名词解释,采样保持器作用是什么?
该电路可以在两种模式下工作,这取决于采样和保持时钟信号的逻辑电平。时钟切换的输入脉冲和电路的输出如下图所示。开关时钟脉冲和电路输出采样保持电路的工作原理可以通过其组件的工作原理来简单理解。构建采样保持电路的主要部件包括一个N沟道增强型MOSFET、一个电容和一个高精度运算放大器。作为开关元件,使用了...
...申请一种驱动电路及功率桥逆变电路专利,有效抑制功率 MOSFET...
专利摘要显示,本发明提供了一种本发明提供了一种驱动电路及功率桥逆变电路,通过开通延时模块和关断钳位模块,使得在进行功率MOSFET开关切换时,保证了在需关断的功率MOSFET彻底关断并钳位之后,需开通的功率MOSFET才能开始开通,从而保证了一个功率MOSFET的开通不会对另一个功率MOSFET造成串扰影响,因此能有效抑...
IPM模块在高速吹风机中的应用与优势
它集成了功率管、驱动电路、保护电路以及控制接口等模块,可用于高性能、高效率、高功率的电力转换系统。在现代高速风筒的设计和制造中,MOSFET已成为一种常见且可靠的电子元器件,特别是在推动电机的应用中尤为广泛。通常在高速风筒内,可以看到六个MOSFET按照三串模式排列,其中一串是P型,另一串是N型。这些MOSFET元件大...
集电极开路什么意思?集电极开路电路工作原理讲解
5、开漏增强MOSFET配置三、集电极开路电路--TTL门当晶体管Tc从图腾柱配置中移除时,就会形成集电极开路TTL栅极。通过在下图中的输出端子P和Q之间使用上拉电阻,可以将TTL与非门转换为与门。集电极开路电路--TTL门集电极开路与非门使用集电极开路逻辑门,可以开发有线AND和有线OR门。在下图中,多...
干货| 工程师手把手教你硬件电路设计
在图中,Vo经过两个分压电阻分压得到V+,V+被送入放大器(我们把这个放大器叫做误差放大器)的正端,而放大器的负端Vref是电源内部的参考电平(这个参考电平是恒定的)(www.e993.com)2024年9月20日。放大器的输出Va连接到MOSFET的栅极来控制MOSFET的阻抗。Va变大时,MOSFET的阻抗变大;Va变小时,MOSFET的阻抗变小。MOSFET上的压降将是Vs-Vo。
减少74%损耗!QorvoSiCFET开启高效、低耗新篇章
SiC在零电压开通(ZVS)架构中的优势共源共栅结构的优势在软开关电路架构中最为明显;这种架构已广泛应用于基于硅基MOSFET的电源设计中。硬开关与软开关之间的主要区别在于,硬开关在功率晶体管的开通及关断阶段存在电压和电流重叠导致的损耗。从概念上讲,软开关通过调整电压和电流摆动的时序来减少这种重叠引起的开关损耗...
还搞不懂缓冲电路?看这一文,工作原理+作用+电路设计+使用方法
实际上,RC缓冲器能够修改振铃频率,有助于解决EMI相关问题。在之前的设计中,在开关MOSFET和二极管上使用RC缓冲器解决了EMI的几个问题。振铃和电压尖峰是由漏感和MOSFET输出电容的相互作用引起的。漏感会产生电压尖峰,漏感将存储能量,但是该能量不会传输到负载所需要的系统。
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性
在设计包含MOSFET的模拟IC时,这些电容在电路带宽中起着重要作用。图1显示了它们的位置。带有寄生电容的NMOS晶体管结构。图1.具有寄生电容的MOSFET结构。电容值会随着工作区域的变化而变化,我们将在接下来的部分中讨论。栅源和栅漏电容虽然图1中没有显示,但在晶体管制造过程中,源极和漏极在栅极下方略微延伸...
大众汽车申请用于运行由分立的MOSFET组成的半桥电路的方法和装置...
金融界2024年4月9日消息,据国家知识产权局公告,大众汽车股份公司申请一项名为“用于运行由分立的MOSFET组成的半桥电路的方法和装置“,公开号CN117856597A,申请日期为2023年9月。专