MOS管的体二极管来源与作用
(1)MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。(2)防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。(如在...
MOS管基础及选型指南
MOS管是压控型,导通由G和S极之间压差决定。对NMOS来说,Vg-Vs>Vgs(th),即G极和S极的压差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,否则烧坏MOS管,开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。▉与...
MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
在uGS=0V时iD=0,只有当uGS>UGS(th)后才会出现漏极电流,所以,这种MOS管称为增强型MOS管,如下图所示:图3uGS>UGS(th)时iD受uDS影响uGS对漏极电流的控制关系可用转移特性曲线描述,转移特性曲线如下图b所示,转移特性曲线的斜率的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。图4MOSFET特性曲线上图a称为输...
MOS管知识最全收录
P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名,其通过光刻、扩散的方法或其他手段,在N型衬底(基片)上制作出两个掺杂的P区,分别引出电极(源极S和漏极D),同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似;只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。在正...
用万能表区分mos管
注意:测量之前,最好用表笔金属头部分短接MOS管的G极与S极,以释放MOS管G极可能残留的静电电荷。因为G极如果存在静电电压可能会造成D与S极处于导通状态,引起误判。对于mos管短路,有些很快就消失了,有些需要很长时间才恢复。这是因为MOS管GS极间存在一定的极间电容,测量时引入的电压在上面残留。如果电压极性刚好符...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
MOS管结构原理:以N-MOS为例,a:P型半导体做衬底;b:上边扩散两个N型区,c:覆盖SiO2绝缘层;在N区上腐蚀两个孔,然后金属化的方法在绝缘层和两个孔内做成三个电极:G(栅极)、D(漏极)、S(源极)(www.e993.com)2024年10月21日。工作原理:一般衬底和源极短接在一起,Vds加正电压,Vgs=0时,PN结反偏,没有电流,Vgs加正电压,P衬底上方感应出...
冠华伟业为你解读MOS管各项参数!
最大极限值是指超出该工作范围MOS管就可能损坏,应用设计中,工作条件绝不可以超过这些参数。VDSS最大漏源承受电压在特定的温度和栅源极短接情况下,流过的漏极电流达到一个特定值(急剧猛增)时的漏源电压。这种情况下的漏源电压也称为雪崩击穿电压。VDSS属于正温度系数,-50°C时,VDSS大约是25°C时的90%。由于...
干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录
图表3N沟道增强型MOS管结构示意图当将衬底B与源极S短接,在栅极G和源极S之间加正电压,即VGS>0时,如图表3(a)所示,则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下,P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动,电子受电场的吸引向衬底表面运动,与衬底表面的空穴复合,形成了一层耗尽层。
硬件工程师需要知道的100个问题
因为MOS管和三极管关闭时,漏极D和集电极C是高阻态,输出无确定电平,必须提供上拉电平,确定高电平时的输出电压。20列举您知道的LDO(低压差线性稳压器)的型号。AZ1084、AZ1085、AZ1086、AMS1117、AS1581、APL5102、BL8503、AP1184、AP1186、LM7805、LM7812、LM7905、R1114、RT9169、RT9172、TPS73701、XC...
电子元器件系列知识--三极管(下)
将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。