昕原半导体“具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构...

天眼查显示,昕原半导体(上海)有限公司近日取得一项名为“一具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构”的专利,授权公告号为CN112309466B,授权公告日为2024年5月17日,申请日为2020年7月30日。本发明涉及具有选择和控制晶体管的电阻式随机访问存储器和架构。半导体设备包括存储设备,分别包括与控制晶体管串联...

长飞先进半导体申请功率器件相关专利,降低器件的导通电阻

本发明可以降低器件的导通电阻,提高器件的可靠性。本文源自:金融界作者:情报员

特朗普赢了,半导体将怎么走?

一方面,对国外半导体产品加征关税可能会保护美国本土的半导体产业,增加本土产品的市场份额,刺激美国企业加大对半导体的研发和生产投入;但另一方面,关税也可能导致半导体产业链上下游企业的成本上升,最终产品价格上涨,削弱美国半导体产业在全球市场的竞争力。2、对全球半导体产业格局:加剧贸易紧张局势:特朗普在其过去的任期...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

在这之中，电机控制器是功率半导体器件与模块的一个关键应用方面，它主要的作用就是把动力电池输出的直流电转化为驱动电机所需的三相交流电。电机控制器是由功率半导体器件或者模块、电容、驱动电路板以及控制电路板等零件组成的。在这些零件里，功率半导体器件或者模块占总成本的大概37%，是电机控制器最核心的零件之一。

安世半导体,如何赢下第三代半导体市场?

这一特性还有益于简化应用设计,无需复杂的栅极驱动器和控制电路,只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。它为工程师提供了简单有效的散热器连接解决方案,相比相同导通阻抗的传统SMD封装器件,功率密度提升了30%-40%,堪称行业的革命性技术。除了在封装技术上的创新,安世半导体在GaN器件的拓扑结构设计方面也...

高通公司取得用于集成电路的线中屏蔽栅专利,金属电阻器可以有效地...

在IC中的MOL层中制造一个或多个金属电阻器来减少半导体区域中的栅极到漏极寄生电容(www.e993.com)2024年11月10日。通过在MOL层中制造金属电阻器,金属电阻器可以被定位为靠近半导体器件,以在不增加当前制造工艺的成本或缺陷的情况下,更有效地减小半导体器件的寄生电容。当前的制造工艺可以用于在MOL中创建触点来制造金属电阻器。

台积电取得半导体器件及其形成方法专利,实现晶体管和电阻器的优化...

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“,授权公告号CN111627906B,申请日期为2020年2月。专利摘要显示,一种半导体器件包括晶体管和电阻器。晶体管串联连接在电源端子和接地端子之间,并且晶体管的栅极端子连接在一起。电阻器覆盖在晶体管上...

...该半导体结构具有较少的短沟道效应,且接触电阻较小,能够避免...

长鑫存储申请存储器结构、半导体结构及其制备方法专利,该半导体结构具有较少的短沟道效应,且接触电阻较小,能够避免由于驱动电流较小而对性能产生的影响,栅极,电阻,漏极,源极,半导体,存储器,长鑫存储

长鑫存储申请半导体结构及其制作方法、存储器专利,专利技术能实现...

金融界2023年12月29日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“,公开号CN117316974A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本公

半导体情报,科学家首次开发射频毫米波段的高性能忆阻器!

记忆电阻器(memristor)是一种能够在电气应力作用下实现两个或多个非易失性电阻状态的设备,近年来被提出用于解决射频开关的挑战。这种效应最早在1960年代的硒铋合金中被报道,随后在包括金属氧化物和二维层状材料在内的许多其他材料中得到观察。通过改变材料的原子或电子结构,memristor能够实现不同的电阻状态,如高电阻态...