MOS管G极与S极之间的电阻作用
2.MOS管G极与S极之间的电阻作用反激电源图:R3为GS电阻用一个简单的实验证明GS间电阻的重要性:取一只mos管,让它的G极悬空,然后在DS上加电压,结果发现输入电压才三四十伏的时候,MOS管的DS就会直接导通,如果不限流则可能损坏。按说此时没有驱动,MOS管不应导通。但其实由于MOS管寄生电容的存在,当在DS之间加电...
MOS管GS电阻有什么作用?
2.MOS管G极与S极之间的电阻作用反激电源图:R3为GS电阻用一个简单的实验证明GS间电阻的重要性:取一只mos管,让它的G极悬空,然后在DS上加电压,结果发现输入电压才三四十伏的时候,MOS管的DS就会直接导通,如果不限流则可能损坏。按说此时没有驱动,MOS管不应导通。但其实由于MOS管寄生电容的存在,当在DS之间加电...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
????7长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上、下拉电阻是电阻匹配,有效的抑制反射波干扰。就是从电源高电平引出的电阻接到输出端????2如果输出电流比较大,输出的电平就会降低(电路中已经有了一个上拉电阻,但是电阻太大,压降太高),就可以用上拉电阻提供电流分量,把电平“拉高”。(就是并一...
吃透MOS管,看这篇就够了
但在实际应用中,厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管,起保护作用,正是这个二极管决定了源极和漏极,这样,封装也就固定了,便于实用。我的老师年轻时用过不带二极管的mos管。非常容易被静电击穿,平时要放在铁质罐子里,它的源极和漏极就是随便接。解释5:金属氧化物膜图中有指示,这个膜是绝缘的,用来电气隔离...
MOS管及其外围电路设计
R7作用:防静电影响MOS,管子的DG,GS之间分别有结电容,DS之间电压会给电容充电,这样G极积累的静电电压就会抬高直到mos管导通,电压高时可能会损坏管子.同时为结电容提供泄放通道,可以加快MOS开关速度。阻值一般为几千左右。R6和D3作用:在MOS关断时,这个回路快速放掉栅极结电容的电荷,栅极电位快速下降,因此可以加快...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通,所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗(www.e993.com)2024年10月21日。如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。
这40个模拟电路基础知识太有用了!
6、双极型管是电流控制器件,通过基极较小的电流控制较大的集电极电流;MOS管是电压控制器件,通过栅极电压控制源漏间导通电阻。7、三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区...
干货| MOS管防护电路解析
功率MOS管保护电路主要有以下几个方面:1)防止栅极di/dt过高:由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个...
MOS管基础及选型指南
N沟道增强型MOS管结构示意图当将衬底B与源极S短接,在栅极G和源极S之间加正电压,即VGS>0时,如上图所示,则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下,P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动,电子受电场的吸引向衬底表面运动,与衬底表面的空穴复合,形成了一层耗尽层。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上电压,而栅源电压VGS=0,则由于...