浙江奥首申请用于12英寸半导体晶圆的砂浆切割液专利,有效降低断线...

浙江奥首申请用于12英寸半导体晶圆的砂浆切割液专利,有效降低断线率降低切割成本快报2024-12-1722:47:44金融界灵通君北京举报0分享至0:00/0:00速度洗脑循环Error:Hlsisnotsupported.视频加载失败金融界灵通君113粉丝金融界旗下账号01:01江西东津发电申请用于大坝面板的防腐...

怎么制备半导体晶圆片切割刃料?

可调谐扫频激光的“温漂”处理能力,体现在极端工作环境中抗干扰能力强,一改过去传统晶圆测量对于“主动式减震平台”的重度依赖,成本显著降低。2,灵活的运动控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

晶圆切割机在氧化锆材料高精度划切中的应用

在划切过程中,刀具与氧化锆材料之间产生剧烈的摩擦和切削作用,从而实现材料的分离。2.切割优势:高精度:晶圆切割机配备高精度的控制系统和定位系统,能够确保切割过程中的精度和稳定性,满足氧化锆等精密材料对切割精度的要求。高效率:金刚石砂轮划切刀具具有优异的切削性能,能够快速、有效地切割氧化锆材料,提高生产...

浙江奥首申请等离子切割保护液及其应用专利,避免金属离子沿芯片...

本申请中采用的聚合物电解质具有强吸附性,能够对金属离子紧密吸附,使得金属离子优先沿着聚合物电解质分子链从膜层底部向膜层顶部迁移,避免了金属离子沿着芯片表面迁移析出的问题。本文源自:金融界作者:情报员

惠存半导体申请用于晶圆生产切割工艺专利,有利于提高切割线与切削...

金融界2024年10月16日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市惠存半导体有限公司申请一项名为“一种用于晶圆的生产切割工艺”的专利,公开号CN118769404A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明涉及晶圆生产技术领域,尤其是一种用于晶圆的生产切割工艺,包括安装座,还包括:工作台,通过支撑柱固定于所述安装...

2024-2030全球与中国晶圆切割液市场供需分析及发展机遇研究报告

但根据WSTS的2022年半导体最终用途调查，2022年终端市场的销售额显示出明显的变化(www.e993.com)2024年12月20日。虽然PC/计算机和通信终端市场仍占2022年半导体销售的最大份额，但其领先优势缩小了。与此同时，汽车和工业应用经历了今年最大的增长。本报告研究全球与中国市场晶圆切割液的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。重点分析全球与中国...

浙江奥首材料科技申请 bump 芯片超声波喷涂激光保护液、制备方法...

其中通过包含采用具有较低粘度和优异水溶性的水溶性树脂,可以在低树脂含量和低用量的前提下实现对晶圆(wafer)和bump表面形成均匀和全面的覆盖,而通过使用特定的助剂,非常有利于雾化液滴在wafer表面上的铺展,可促进wafer与膜层的分子之间的良好接触,进一步提高膜层在wafer上附着力,与聚酯具有良好的协同作用...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

一、晶圆模塑制作扇出型晶圆级芯片封装体时,晶圆模塑是一项重要工序。对于扇出型晶圆级芯片封装件而言,晶圆塑膜需先在芯片上贴附同样形状的晶圆载片,而后将其放置到模塑框架中。将液状、粉状或颗粒状的环氧树脂模塑料(EMC)加入到模塑框架内,对其进行加压和加热处理来塑膜成型。晶圆模塑不仅是扇出型晶圆级芯片封装工艺...

半导体后端工艺|第七篇:晶圆级封装工艺

7润湿性(Wettability):因液体和固体表面的相互作用,使液体在固体表面扩散的现象。如图8所示,在溅射工艺中,首先将氩气转化为等离子体(Plasma)8,然后利用离子束碰击靶材(Target),靶材的成分与沉积正氩离子的金属成分相同。碰击后,靶材上的金属颗粒会脱落并沉积在晶圆表面。通过溅射,沉积的金属颗粒具有一致的方向性。尽...

【光电集成】晶圆键合工艺及键合设备市场情况

W2W是指通过化学或物理反应将晶圆与晶圆、晶圆与玻璃基板或其他材料圆片永久结合起来的工艺。键合过程为,在外能量的作用下,两个晶圆接合界面上的原子相互反应形成共价键,从而使晶圆接合并达到一定的界面键合强度;D2W指在划片工艺之后,将从晶圆上切割的芯片黏贴在封装基板(引线框架或印刷电路板)上。芯片键合工艺可分...