薄膜沉积设备行业深度报告:工艺升级提升需求,加速国产化进程

芯片前道制造工艺包括氧化扩散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗、检测等,薄膜沉积是其中的核心工艺之一,作用是在晶圆表面通过物理/化学方法交替堆叠SiO2、SiN等绝缘介质薄膜和Al、Cu等金属导电膜等,在这些薄膜上可以进行掩膜版图形转移(光刻)、刻蚀等工艺,最终形成各层电路结构。由于制造工...

芯片制造的核心工艺:一文看懂薄膜沉积

为了改善短沟道效应(沟道缩小引起的载流子速度饱和,器件性能减弱)而引入侧墙,需要在栅极侧面形成并靠近源漏,防止源漏区的离子对栅极造成污染,关键在于对侧墙厚度精确控制,同时要求侧墙保持较好的隔离效果;对于40nm以下的工艺,通过外延法制备α-Si/SiGe可以对沟道区施加应力,可以提高MOSFET的开关速度;...

选择性湿蚀刻和腐蚀工艺的基础研究

此外,MHM允许一个关于蚀刻速率控制的宽工艺窗口,允许蚀刻高方面的定量结构,保护ILD材料免受等离子体蚀刻过程引起的损伤,并在通过和沟槽图案步骤中作为ILD和光刻胶之间的界面。当使用聚合物ILD时,这是至关重要的,因为光刻胶和聚合物ILD之间的干性蚀刻选择性很难达到。蚀刻策略依赖于在沟蚀刻过程中消耗最多的光刻剂,...

半导体工艺实操100答!

用途:用来检验残留在已清空系统中的气体分子的类型、检漏、工艺中的故障查询。基本构成:一个离子发生器、一个孔径、一个分析器和一个探测器。氧化1.氧化物的两种生产方式热氧化生长、淀积2.氧化层在芯片制造中有哪几方面的应用?保护器件免受划伤和隔离污染限制带电载流子场区隔离(表面钝化)栅氧或储存...

半导体集成电路的发展及封装工艺面临的挑战

在半导体集成电路的制造工艺中引入低介电材料和铜导线能够显著地提高集成电路的性能,但同时它也为后续的半导体封装工艺带来了诸多困难。当作为金属层间绝缘材料的二氧化硅被低介电材料(K值小于3)所取代时,新的ILD层比传统的ILD层更脆,而且具有相对较差的导热性和机械强度,与金属层的粘结力与传统的二氧化硅材料相比较小...

Intel展示0.18微米铝工艺

的ILD的k值(www.e993.com)2024年11月1日。Intel宣称借助使用低k值的层间绝缘体并改变金属导线的截面比(高比宽)以降低窄线时阻抗的办法,使其0.18微米工艺比IBM公司的铜工艺更快,而且工艺成本也低。这种工艺生产的一种测试芯片含有超过1亿个晶体管的16-MbitSRAM,能够以900MHz的速度运行。这种SDRAM...

从砂到芯:芯片的一生

芯片前期工艺包括光刻、干蚀刻、湿蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、等离子冲洗、湿洗、热处理、电镀处理、化学表面处理和机械表面处理等,其中多个工艺会重复使用,非常复杂。每个前期工艺都对应着相应设备,包括光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入设备、热处理设备(氧化退火设备)、化学机械平摊(CMP)设...

半导体最强产业框架思维导图,一文看懂全产业链结构应用!

硬核是指经过验证之后的设计版图,就是在特定工艺下经过布局布线等优化处理,最终的出pin位置也已固定。设计人员不能对其进行修改,避免造成内部时序无法收敛。硬核是一种灵活性最差的交付方式,但是这种交付方式也有一定的好处就是客户可以拿来就用,不需要重新对其做验证综合等前端处理工作。由供应商保证了设计的正确性。

一文带你了解CMP设备和材料

1.CMP抛光垫:主要作用是储存和运输抛光液、去除磨屑和维持稳定的抛光环境等;2.CMP抛光液:是研磨材料和化学添加剂的混合物,可使晶圆表面产生一层氧化膜,再由抛光液中的磨粒去除,达到抛光的目的。3.CMP钻石碟:是CMP工艺中必不可少的耗材,用于维持抛光垫表面一定的粗糙状态,通常与CMP抛光垫配套...

半导体设备行业专题报告:CMP,“小而美”,国产装备崛起

ILD-CMP/IMD-CMP:ILD-CMP指的是层间介质(ILD)抛光,IMD-CMP指的是金属内介电层(IMD)抛光,主要抛光对象是二氧化硅介质。作为芯片组件隔离介质,集成电路制造工艺中最常被使用的介电层是相容性最佳的二氧化硅介质。二氧化硅膜的CMP大多应用在层间绝缘膜及组件间的隔离(Isolation)平坦化工艺中。