...Advances:揭示自热效应对有机场效应晶体管运行稳定性的影响

有机场效应晶体管(organicfield-effecttransistors,OFETs)凭借其柔性、可大面积制备及生物兼容性等优势,在柔性显示、智慧医疗及物联网等领域展现了广阔的应用前景。经过近三十年的发展,OFETs的迁移率超过了氢化非晶硅场效应晶体管,已经满足实际应用的需求。然而,稳定性问题仍是制约其应用的关键因素。天津大学李立强...

黄芊芊从20岁起持续攻关——在集成电路基础研究中奋力攀登

基于量子带带隧穿机理的硅基隧穿场效应晶体管,当时国际同行已研究了五六年,其好处在于:理论上可以突破传统MOSFET的亚阈值摆幅极限,而且关态电流还特别低,对于静态功耗占主导的低频应用来说,有望大幅降低芯片功耗。不过,有一利必有一弊:由于硅基隧穿场效应晶体管采用的是量子带带隧穿机理,所以其隧穿电流就会受限...

多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,研发p型场效应晶体管,突破...

2022年下半年,他们将过渡金属二硫属化物/CrOClp场效应晶体管,与本征的过渡金属二硫属化物n型场效应晶体管进行面内电路互连组合成“非”门逻辑器件,初步验证了将这种掺杂方式用于CMOS逻辑电路构建的可行性。进一步地,为了充分发挥这种掺杂方式独特的垂直堆叠兼容性,亦为了提高电路的集成度,他们将p型场...

台积电取得存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法专利,达到多位...

专利摘要显示,一种配置为多位存储器件的铁电场效应晶体管(FeFET),该FeFET包括:半导体衬底,在该半导体衬底中具有源极区,在该半导体衬底中具有漏极区;栅极堆叠件在半导体衬底上,其中源极区和漏极区延伸到栅极堆叠件的相对侧,该栅极堆叠件包括在半导体衬底上方的铁电层,以及在铁电层上方的栅极区。晶体管还包括铁电层的...

绝缘栅双极晶体管 (IBGT)发明者,获巨额奖金

“我的第二项新发明是双向场效应晶体管(BiDFET)，它使矩阵转换器能够用于电力电子应用。与现有的电压源逆变器相比，矩阵转换器在尺寸、效率和可靠性方面实现了前所未有的改进。电力电子专家表示，这将对电力输送和管理产生革命性的影响。”芬兰技术学院（该奖项的颁发机构）董事会主席MinnaPalmroth教授表示：“...

三端晶体管的人工突触器件: 材料、结构与系统

基于三端晶体管的突触器件逐渐被广泛用于神经信号传输和生物学习功能的模拟,它可以在栅极电压的辅助下实现器件的精准调控,避免相邻单元的串扰问题.三端突触晶体管有两个突出的优势,即三端突触晶体管可以同时接收和读取刺激以及其可以通过沟道层传递信号并通过栅极独立调节突触权重,因此电流比两端器件更稳定.得益...

Nature:晶体管的未来

负电容场效应晶体管(NegativeCapacitanceFET,简称NCFET)是一个具有巨大潜力的技术,它利用铁电材料的负电容特性,可以突破传统晶体管电阻的限制,实现更高效的电荷控制。通过在通道材料上引入铁电薄膜,NCFET可以实现比传统MOSFET更小的次阈值摆幅,从而大幅提高性能。另外,悬浮门场效应晶体管(SuspendedGateFET)和...

基础知识之晶体管

FieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中,MOS型FET主要用于微控制器等数字IC。GaAs型用于卫星广播信号接收等的微波增幅。※MOSMetalOxideSemicONductor的简称,因其构造分别是金属(Metal)、硅酸化膜(Oxide)、半導体(SemicON...

科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题

研究中，他们获得了P型和N型的场效应晶体管，这些晶体管的器件结构，让其可以更准确地提取固有器件参数。同时，本次工作也解决了碳纳米管均匀可控的掺杂问题，能帮助人们更好地提升碳纳米管半导体器件的性能。当前半导体制程面临着诸多挑战最近几年，即便是非专业群体对于半导体也能做到略知一二。半导体制程是...

下一代晶体管,晶圆三巨头亮剑

既然三大先进芯片制造商都已经展示了CFETS(complementaryfield-effecttransistors:互补场效应晶体管),那么晶体管密度几乎翻倍的未来处理器的愿景已开始成形。CFET是一种单一结构,堆叠了CMOS逻辑所需的两种类型的晶体管。在本周于旧金山举行的IEEE国际电子器件会议上,英特尔、三星和台积电展示了他们在晶体管的下一...