随机梯度下降的演化力学分析:灾难遗忘与涡旋容量

可能的是,与SGD相关的高度随机各向异性使得优化能够在通往最佳配置的途中逃离局部最小值[10]。为了寻找答案,人们借鉴了经典统计物理学中的一些思想[11–14]。最近,冯等人[15]将损失函数视为类似于“物理”系统的“热力学”能量函数。他们推导出一个等效的随机方程,并对权重动态进行主成分分析(PCA)。后者根据其重...

重庆大学揭秘高速铣削中的神奇:纤维随机分布CFRP和表面质量优化丨...

然而,CF/PEEK材料的非均质性及各向异性致使传统均质材料去除机理不再适用,同时由于CF/PEEK工件表面形貌非常复杂而极易产生加工缺陷,严重制约了CF/PEEK结构件的使用寿命、服役性能及安全可靠性,亟需阐明CF/PEEK的高速干式铣削机理,优化切削表面质量。主创简介曹华军,博士,重庆大学二级教授、博士生导师,现任科学发展研究...

市政府关于表彰常州市第十三次自然科学优秀科技论文的决定

38、无约束最优化的基于简单锥模型的信赖域方法周群艳、周芬、曹凤雪(江苏理工学院)39、自相似测度关于几何平均误差的最优集的刻画朱三国(江苏理工学院)40、Camassa-Holm-gamma方程的分支与一些精确行波解江波、陆毅、张剑豪(江苏理工学院)41、暗孤子在各向异性囚禁超流费米气体中的演化和snake不稳定性文...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

两种刻蚀方法各有优势,物理刻蚀适用于需要高精度和各向异性刻蚀的场合,而化学刻蚀在大面积材料去除和各向同性刻蚀方面表现出色。理解这些术语及其在刻蚀工艺中的作用,对于优化半导体制造过程至关重要。刻蚀是一种重要的半导体制造工艺,其基本原理是通过化学或物理手段,将晶圆表面上的特定材料层部分性地去除,从而形成所需...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

物理刻蚀通过高能离子轰击材料表面实现去除,化学刻蚀则通过自由基等活性物质与材料反应生成挥发性产物来实现材料的去除。两种刻蚀方法各有优势,物理刻蚀适用于需要高精度和各向异性刻蚀的场合,而化学刻蚀在大面积材料去除和各向同性刻蚀方面表现出色。理解这些术语及其在刻蚀工艺中的作用,对于优化半导体制造过程至关重要。

总结|锂离子电池老化过程的电解液失效机制、表征和定量分析

第四,目前的研究似乎还缺乏能将单个溶剂成分与电池老化直接相关联的研究(www.e993.com)2024年11月18日。全面了解每种溶剂在老化过程中的具体作用,可以为了解电池衰减的内在机制提供重要的启示。最后,在深入了解电解液消耗的基础上,今后的工作重点应是通过加入新型添加剂、盐类和其他策略,探索更耐用的电解液配方,从而提高电池性能并延长其使用寿命。

开放课题申请 | 空天飞行空气动力科学与技术全国重点实验室2024...

围绕强各向异性雷诺应力张量与平均速度间的强非线性相互作用,开展边界层转捩壁面摩阻-热流与雷诺应力的时空关联机理研究,构建基于雷诺应力演化物理过程的转捩模型,开发具备明确边界层壁面物理约束和完全物理可解释的新型符号回归转捩机器学习算法,实现对转捩边界层强各向异性演化的雷诺应力张量全分量的高精度预测;构建基于完...

硬核解决Sora的物理bug!美国四所顶尖高校联合发布:给视频生成器装...

3D高斯采用一组各向异性的3D高斯核来表示3D场景的辐射场,虽然其主要是作为3D新视图合成方法引入的,但由于3D高斯具有拉格朗日性质,所以能够直接适用于粒子的物理模拟器。与PhysGaussian方法类似,研究人员使用材质点方法(MPM,MaterialPointMethods)直接在高斯粒子上模拟物体动力学。

Unity移动端游戏性能优化简谱之 画面表现与GPU压力的权衡

除了合理使用Mipmap非0层采样外,还应关注项目中各向异性采样和三线性插值采样。概括来说,纹理压缩采样时会去读缓存里面的东西,如果没读到就会往离GPU更远的地方去读SystemMemory,因此所花的周期越多。采样点增多的时候,cachemiss的概率就会变大,造成带宽上升。各向异性采样次数在Unity中设置有1-16,应尽量设置为...

研发实战:如何为Quest 2优化移植PC VR内容《Showdown》

优化精简项目在重新启用单个功能时对其进行优化重新启用功能衡量性能影响根据需要进行优化BuildingandRunning2.构建和运行在UnrealEditor中打开PC项目的副本,并将Android添加到SupportedPlatforms后,你需要对不太明显的设置进行更改。找到其中大多数设置的快速方法是利用OculusPerformanceWindow。