中国振华集团永光电子申请推挽式MOS管可靠性试验方法及其试验电路...

所述试验方法包括:(1)按多路推挽式MOS管单元并联进行设计,以实现批量推挽式MOS管可靠性试验;(2)采用提高MOS管漏源VDS压降的方法,让MOS管工作在不完全导通状态下进行老炼;(3)输入方波信号按设定的功率放大,以驱动每个单元推挽式MOS管;(4)方波信号经恒流通道恒流。试验电路包括信号模块、驱动模块、器件模块、模拟负载...

实战讲解:为什么MOS管要并联个二极管?

从图1-51(3)中可以看到,从D极的N型区->中间P型区->S极,刚好构成了一个二极管结构(结合图1-50理解),这就是MOS符号中并联了一个二极管的原因。图1-51MOS与PN结从上面的分析可以知道,这个二极管是MOS结构和工艺使然的,说它是寄生二极管其实不太合适,体二极管(body-diode)的称呼还是相对准确一些。那么...

盘点ENPHASE光伏逆变器内置的那些MOS管

上图四颗升压MOS管均来自英飞凌,型号BSC190N15NS3-G,是一颗耐压150V,导阻19mΩ的NMOS,使用两颗并联,四颗对应两个变压器。内置高压功率器件ST意法半导体STB18NM80还有两颗MOS管来自意法半导体,型号STB18NM80,这是一款耐压800V,导阻为250mΩ的NMOS。1、拆解报告:ENPHASEENERGY215W光伏并网微型逆变器EN...

微型光伏逆变器MOS管选型难?不如看看这篇文章

上图四颗升压MOS管均来自英飞凌,型号BSC190N15NS3-G,是一颗耐压150V,导阻19mΩ的NMOS,使用两颗并联,四颗对应两个变压器。内置高压功率器件ST意法半导体STB18NM80还有两颗MOS管来自意法半导体,型号STB18NM80,这是一款耐压800V,导阻为250mΩ的NMOS。相关阅读:1、拆解报告:ENPHASEENERGY215W光伏并网微...

MOS管烧了,可能是这些原因

该电流通常通过与每个开关器件反并联连接的续流二极管安全地引导回电源轨道。当MOS管用作开关器件时,工程师可以简单获得MOS管固有体二极管形式的续流二极管,这解决了一个问题,但创造了一个全新的问题...MOS管体二极管的缓慢反向恢复诸如特斯拉线圈之类的高Q谐振电路能够在其电感和自电容中存储大量能量。在某些...

MOS管及其外围电路设计

图4给出的改进电路1是在驱动电阻上反并联了一个二极管,当mos关断时,关断电流就会流经二极管Doff,这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降,一般为0.7V,远小于mos的门槛电压(一般为2.5V以上),有效地避免了mos的误开通(www.e993.com)2024年11月23日。图5改进电路2图5给出的改进电路2是在驱动电路上加入了一个开通二极管Don和关断三级管Qoff...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振。预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失,而设置的RC高频分量提升网络电容。移相电容:用于改变交流信号相位的电容。

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可,因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

低压MOS主要是40V、60V、100V的平面型、沟槽型和屏蔽栅MOSFET。2021年以来，由于单车用量大、应用场景又多又复杂，市场上缺货缺得厉害。中压SGTMOSFET呢，这是一种车规级的MOSFET产品，工作电压范围一般在30V到250V之间。当中压处于100V-250V的时候，常常会把多个MOSFET单管并联起来，用在A00级的小型电动汽车...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...