详解大功率电源中MOSFET功耗的计算
其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数),fSW为开关频率,IGATE是MOSFET的栅极驱动器在MOSFET处于临界导通(VGS位于栅极充电曲线的平坦区域)时的吸收/源出电流。一旦基于成本因素将选择范围缩小到了特定的某一代MOSFET(不同代MOSFET的成本差别很大),我们就可以在这一代的器件中找到一个能够使功率耗散...
罗姆电源IC选用攻略!助力打造更高效、更可靠的电源系统
IPD(智能功率元器件)罗姆的IPD(智能功率元器件)系列是在一枚芯片中内置了低导通电阻MOSFET和各种保护电路的车载级通用开关。为过热、过电流、过电压以及负载短路提供更高水平的保护。可用于设置在发动机仓内、车室内的阻性负载、电容负载、感性负载,还可用于工业设备用途,更多介绍内容点击下方查看。产品列表车载用半...
全面升级!安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析
从VF、QRR和EON(BD)的结果可以看出,M3S的体二极管是针对高频应用设计的,并且随着开关频率的增加而更具优势。图8.体二极管的导通开关损耗@VDD=800V,VGS=??3/18V,RG=4.7,Lσ=30nH
理清“功率流”和“信息流”
开关频率选择:开关频率越高,转换器体积可以做得越小,但也会增加开关损耗和EMI。降低开关频率可以减少开关损耗,但会导致电感和电容的体积增大。选择合适的开关频率以平衡效率、体积和EMI是设计中的一个重要权衡点。开关损耗控制:开关过程中,MOSFET在开启和关断瞬间的损耗(如电压和电流重叠时产生的损耗)会显著影响整体...
5V升12V|4A内部开关电流限制为1.2MHz?SX1308
开关频率:1.2MHz采用SOT-23-6L封装应用领域:?电池供电设备便携式DVD移动电源通讯设备数码产品?设置热门盒装机顶盒?液晶白族供应?DSL和电缆调制解调器和路由器?网络卡从PCI供电或PCIExpress插槽5V升12V|4A内部开关电流限制为1.2MHz?SX1308还具有高达97%的效率,使得在电压转换过程中能量损失最小化。
吃透MOS管,看这篇就够了
MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S~150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)(www.e993.com)2024年9月17日。
怎么通过SPICE仿真来预测VDS开关尖峰?
对PCB和DrMOS进行3D建模后,可以通过ANSYSQ3D提取器对寄生电感行表征和获取。由于本文重点关注MOSFET的VDS尖峰,因此主要的仿真设置是电源网络和驱动器网络上的寄生参数。当考虑从Q3D提取器获得的寄生分量时,可以在不同频率条件下选择寄生电感矩阵(包括DrMOS上每个网络的自项和互项)。由于高侧MOSFET(HS-FET)和低侧...
高效电源转换,元芯YX2865同步双向升降压控制器详解
YX2865的电源转换效率最高可达98%,支持从50KHz到3MHz的超宽开关频率范围,可通过频率设定引脚(RT)进行设置。这款芯片提供可编程的输入和输出电流限制功能,利用ISMON进行负载电流监测。为了优化电源开关的性能,YX2865还具备可调死区时间控制功能,有效减少开关损耗,进一步提高系统效率。
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
在塑料TO-247(以及更小的TO-220)封装中,有各种各样的器件和额定值,只要通过审慎的电路设计和布局(以及能够处理电流的PCB),就可以实现任何实际的电压、电流和开关频率组合。更具体地说,几乎任何电流额定值都可以通过并联足够数量的TO-247器件来获得……每器件大约20A到50A,这取决于器件技术、总损耗以及如何将这...
基础知识之晶体管
这里,PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出,但是只有Tj不能直接得出。因此,如下列出使用VBE的测试方法。VBE测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。图1.热电阻测量电路由此,通过测定VBE,可以推测结温。