ST|官宣!推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术

开关速度加快:第四代SiCMOSFET支持更快的开关频率,这意味着在电力转换过程中产生的开关损耗降低,对于需要高频率操作的应用来说尤为重要。动态反向偏置(DRB)下的鲁棒性增强:第四代SiCMOSFET在动态反向偏置条件下表现出了超越行业标准的鲁棒性,确保在极端情况下也能稳定工作。第四代器件继续提供出色的RDS(on)...

采用高可信度的MOSFET模型进行基于模型的功率转换器设计

为此,导入的MOSFET器件模型被替换为理想开关,其固定的导通电阻根据数据手册Rds(on)值设定。参见图5。还忽略了某些较快的寄生效应,例如,MOSFET的引线电感。该系统级模型具有固定的温度,用户为假定的结温设定一个适当的Rds(on)值即可。该模型仿真一个PWM周期,需要大约0.05秒,比精细模型要快46倍。由于没有热时间常数,...

ML4835复合PFC/CFL小型荧光灯基于Matlab的电

其中开关switch1和switch2的阈值分别设为0和1即可。4基于Matlab仿真实现和结果以图1拓扑为例,当其工作在DCM?CCM方式时,电感L1工作在断续模式,而电感L2工作在连续模式,两MOSFET管工作在同步状态(即同时开通、同时关断)。当MOSFETS开通时,电源给电感L1储能,电容C1给负载提供能量;当MOSFETS关断时,电感L1的能量经D1...

抢鲜看|《电工技术学报》2021年增刊2目次及摘要

计算结果表明,材料表面不同修饰基团对MXenes表面的吸附与锂原子扩散性能起着决定性作用;稳定吸附结构的容量在121~195mAh/g之间,且本征与H修饰结构能够获得理想的开路电压(0.5~0.8V);同时本征结构表面极低的离子扩散势垒(0.03~0.06eV)能够大幅度提升锂离子电池的充放电效率。一种双C型高温超导直流感应加热装置及其性...

「硬见小百科」100个示波器基础知识问答

答:TDS5000可以进行20MHz,150MHz低通滤波,还可以进行一种称之为高分辨率采集的数字低通滤波,在此种模式中采样点的垂直分辨率可从8bits提高到12bits,上述系统可以输出像比如PWM这样的信号按照脉宽变化的趋势的类似正弦波波形。15.使用数字示波器时,对B触发和触发电平的设置与被测信号有什么原则?

干货|100个软硬件都要懂的示波器基础知识

答:TDS5000可以进行20MHz,150MHz低通滤波,还可以进行一种称之为高分辨率采集的数字低通滤波,在此种模式中采样点的垂直分辨率可从8bits提高到12bits,上述系统可以输出像比如PWM这样的信号按照脉宽变化的趋势的类似正弦波波形(www.e993.com)2024年11月10日。15.使用数字示波器时,对B触发和触发电平的设置与被测信号有什么原则?