Light | 太赫兹发射谱:二维材料物理的新视角
基于二阶非线性效应的太赫兹发射通常来自非中心对称晶体中,但如果倾斜入射光的入射角,石墨烯等具有中心对称结构的材料也会产生太赫兹发射,这被归因于光拖曳效应(photon-drageffect):在非热电子和空穴数量的不对称分布下,斜入射的飞秒光泵浦脉冲的有限面内光子动量转移到电子空穴对,导致价带和导带之间产生非垂直跃迁,...
朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HO...
可见光下从价带内产生空穴以增强氧化电位
Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HOCO...
被“玩坏”的石墨烯,这回真能造芯片了?
它特殊的波纹状价带和导带实际上是连在一起的,不能以正确的比例开关。所有晶体管和硅电子器件的工作都需要带隙,多年来,许多人试图用各种方法来解决这个问题。科学家曾经通过把石墨烯制造成奇特的形状,如带状来获取带隙,也曾经通过量子约束或化学功能化来改变带隙。但在这项成果发布前,都未能成功制造出可行的半导...
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?
价带的最高占据能量状态与导带的最低未占用状态之间的能量差称为带隙,表示材料的电导率。较大的带隙意味着需要大量能量才能将价电子激发到导带。相反,当价带和导带像金属一样重叠时,电子可以很容易地在两个带之间跳跃,这意味着该材料被归类为高导电性。
光电器件发明史(四):半导体异质结之争
晶体管一般采用一种半导体材料(硅或锗)制成,尽管能带在不同区域会发生弯曲,但是禁带宽度(价带和导带的间隔)不变(www.e993.com)2024年9月10日。克勒默设想,如果让晶体管的禁带宽度从发射极到基极和集电极逐渐地变小,则可以让晶体管更快地开关。聪明的肖克利立刻明白了这背后的含义,因为早在1948年,他就曾对此深入思考并提交了一份专利...
铜/碳纳米管复合粒子(Cu/CNTs)|导电性|cnts|超导材料_网易订阅
碳纳米管上碳原子的P电子形成大范围的离域π键,由于共轭效应显著,碳纳米管具有一些特殊的电学性质。对于金属性碳纳米管来说,价带和导带是部分重叠的,相当于一个半满能带,电子可以自由运动,显示出金属般的导电性;而半导体性碳纳米管的价带和导带之间带隙较小,室温下价带电子即可跃迁到导带中导电。
发光学报|二维材料及其异质结构中载流子动力学过程研究进展
在Ⅱ型异质结构中,导带底和价带顶分居两层。因此,电子和空穴倾向通过层间电荷转移过程,分离到两层中。当光激发的材料的导带底高于另一材料时,激发的电子由于能带偏移的驱动,可转移到另一材料,如图3(a)所示。而激发的空穴则留在光激发层,从而实现电子和空穴的分离。而当光激发材料的价带顶低于另一层时,激发的...
清华学者发现激子流体现象,或可用于编码信息,开发全新片上集成器件
在具有带隙的半导体体系中,光的吸收能让价带电子跃迁到导带。在库伦相互作用的影响之下,导带中的电子和价带中的空穴会形成“类氢原子”束缚态,这就是激子。激子体现了半导体的激发态特性,并遵从玻色-爱因斯坦统计规律。尽管激子是一个经典概念,然而该领域却不断取得激动人心的进展,比如激子绝缘体、激子极化激元非平...
从零开始读懂诺贝尔奖关键词“量子点”
在大部分化合物,半导体和绝缘体材料中,最上层的能带刚好被其内部的所有电子填满。这样的能带叫价带,再上面有一个空的能带叫导带。之所以这么叫,是因为在填满的能带里,电子是无法移动的,只有跳到上面的那个能带,才成为自由电子可以导电。导带和价带之间的缝隙叫能隙,能隙决定了材料的很多特性,包括颜色。