ASML掀开台积电的老底,28纳米以后的芯片工艺升级都是假的!

ASML指出在28纳米以上工艺的时候,芯片制造工艺的栅极间距都低于芯片工艺的名字,即是65纳米,芯片的栅极间距低于65纳米,但是在28纳米以下工艺,芯片的栅极间距难以迅速缩短,芯片制造企业的命名已是脱离了这样的命名规则。ASML表示3纳米工艺的栅极间距为23纳米,2纳米、1.4纳米工艺的栅极间距分别为22纳米、21纳米,预计1纳米...

台积电和三星电子的16/14纳米之争

三星电子原本属于FD-SOI阵营，当梁孟松意识到三星电子的20纳米处于落后地位时，他力排众议，建议三星电子放弃2D晶体管的20纳米FD-SOI技术的研发，直接开始3D晶体管的14纳米FinFET技术的研发。结果，三星电子凭借FinFET技术成功地从28纳米直接跨代至14纳米，并于2014年12月初开始量产。梁孟松力推三星电子跳过20纳米(2D...

国产65nm光刻机公布,市场反应出乎意料!

咱们来聊聊生产成本和好货比例，跟那些高大上的8纳米、14纳米比起来，28纳米的芯片制造成本低得不是一星半点。用一台65纳米的光刻机来做28纳米的芯片，既能控制成本，又能提高合格产品的比例。换个说法，用这台65纳米的光刻机做芯片，既划算又实惠，还能让国产光刻机顺利进入稳定的量产阶段。相比之下，追求那些...

重磅好消息:国产28纳米/14纳米芯片有望今明年量产

重磅好消息:国产28纳米/14纳米芯片有望今明年量产在国家大力推进集成电路产业发展的大背景下,从国内大陆地区芯片制造业发展现状及火热发展势头综合分析,行业预判28纳米将是100%国产芯片的新起点,和国产14纳米芯片将分别有望在今年和明年实现量产。这一预判得到了专业人士的认同,据环球网科技报道,中国电子信...

7纳米、14纳米、28纳米芯片制造工艺市场价值对比

更何况不是所有的芯片都像CPU、GPU那样需要极高的性能,很多芯片只是能够实现特定的功能就可以了,由此看来28纳米工艺是一款极具“性价比”的工艺。如果一个芯片项目对于性能有一定要求但不是很高,并且需要控制成本。那么对于这类芯片来说,28纳米工艺目前是一个非常好的“妥协点”。

至纯科技:公司湿法设备已可覆盖28纳米各工序段,并在14纳米以下已...

公司回答表示,您好,公司在湿法设备方面沿袭与DNS一致的日系技术路线,公司湿法设备已可覆盖28纳米各工序段,并在14纳米以下已有四台设备交付,是国内目前唯一可提供14纳米以下先进制程湿法设备的国产厂商(www.e993.com)2024年11月27日。公司时刻关注湿法领域的先进技术并持续投入研发,希望成为技术覆盖度更广、技术深度更精深的专注于湿法领域的供应商。

华特气体:产品已用到中芯国际28纳米和14纳米工艺制程供应链中

华特气体:产品已用到中芯国际28纳米和14纳米工艺制程供应链中华特气体(688268)在互动平台表示,公司产品已用到中芯国际的28纳米和14纳米工艺制程的供应链中,公司新研发的产品也在陆续投入到市场中。(证券时报)四大权益礼包,开户即送华特气体(688268)在互动平台表示,公司产品已用到中芯国际的28纳米和14纳米工...

被制裁一年,国产存储从全球第一到落后,但28纳米光刻机快来了

28纳米光刻机为浸润式光刻技术的入门,这也意味着国产浸润式光刻机已取得突破,浸润式光刻技术可以应用到7纳米,随着国产先进光刻机的量产,国产存储芯片将突破限制,因为存储芯片只需要用到14纳米以上的光刻机,因为存储芯片无法采用更先进的工艺,当前全球存储芯片最先进的工艺也不过是15纳米,国产光刻机的量产将再次为...

你知道什么是“28纳米光刻机”吗?它能达到7纳米芯片精度吗?

很多网友认为,有了“28纳米光刻机”,就可以通过双重曝光制造14纳米芯片,通过四重曝光可以制造7纳米芯片。这种说法正确吗?为了回答这个问题,我们需要先理清楚什么叫做“28纳米光刻机”。通常意义上,半导体行业的光刻机的划分是根据光源波长来命名,比如我们经常说的193纳米ArF光刻机,248纳米KrF光刻机。

中国芯片14纳米,美国是5纳米,所以解放军科技难以战胜美军吗?

老一点没关系,好用,够用就行的原则。我们国家的军队起步较晚,所以设备设计的时候也更多地使用了更先进的芯片,例如——歼20使用的是国产自主生产的28-45nm芯片,每秒运算超过千亿次(作为对比,台湾使用的美式F-15的芯片每秒32万次)国内的雷达采用65nm的工艺,十分地先进。