中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

基于前期的工作积累,研究人员从GaN基半导体p-n异质结能带结构设计,MBE外延工艺探索及纳米线形貌调控出发,结合DFT第一性原理理论计算优化及半导体表面金属铂(Pt)纳米颗粒定向修饰,成功构建了基于p-AlGaN/n-GaN异质p-n结的光谱可分辨型光电探测器[NatureElectronics2021,4,645–652]。图1为器件的工作原理示意图。

MLED情报站:事关京东方晶芯、兆驰半导体、易美新创、诺瓦星云等

专利摘要显示,本发明涉及半导体材料的技术领域,公开了一种Micro??LED的外延结构及其制备方法,所述外延结构包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层,未掺杂的GaN层,N型掺杂GaN层插入层多量子阱层,电子阻挡层,P型掺杂GaN层和接触层;其中,所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN...

...&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为

在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷酸分子掺杂剂,可以调节宽带隙钙钛矿半导体的p型和n型特性。结果表明,p型和n型样品的载流子浓度均超过了1013??cm??3,霍尔系数在??0.5??m3C??1(n型)到0.6??m3C??1(p型)范围内。我们观察到了费米能级在带...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。重要的是,在保持70–85%的高光致发光量子产率的同时,实现了...

N型晶圆和P型晶圆的意思是什么?

N型晶圆和P型晶圆的意思是什么?在半导体制造中,基于硅的晶圆(wafer)是非常关键的材料,用于构建集成电路和芯片。晶圆基材可区分为N型和P型,这两种类型主要涉及硅的掺杂方式,即向硅晶体中添加微量的其他元素来改变其电子特性。N型(Negative-type)晶圆:

聚和材料研究报告:进击的银浆龙头,N型时代乘东风扬帆起

TOPCon银浆方面,在从PERC过渡到TOPCon技术的初期,电池的正面细栅浆料采用银铝浆方案,主要是由于随着电池硅基材料从P型更换为N型,整体结构中的受光面从磷掺杂的N型发射极转变为硼掺杂的P型发射极,需要在银浆体系中加入金属铝以降低电极材料的费米能级,才能实现良好的欧姆接触(www.e993.com)2024年11月11日。银铝浆在烧...

首次!有机半导体光催化掺杂

与依赖于在掺杂过程中被消耗的高反应性掺杂剂的传统方法相比,光催化掺杂使用可循环再生且空气稳定的光催化剂(PC),仅消耗抗衡离子盐和弱掺杂剂,如空气中的氧气或者胺类化合物。这种光催化方法具有通用性,适用于各种有机半导体,能够产生高电导率的p型、n型半导体;甚至能不消耗弱掺杂剂,仅消耗抗衡离子盐的情况下将p...

类似传统半导体-铅卤素钙钛矿实现有效电学掺杂 | NSR

未掺杂的薄膜展现出双极性性质,使用乙二铵离子掺杂的薄膜显现出n型性质,电荷密度接近1016量级,而采用苯乙铵处理的薄膜表现出p型性质。采用紫外光电子能谱和Kelvin探针测试得到的薄膜电势位置的变化和电学掺杂浓度的变化一致,进一步证实了远程分子掺杂对薄膜电学性质的调控作用。此外不同碳链长度的二铵离子掺杂也可以提升...

联发科技申请静电放电保护装置专利,降低寄生电阻提高内部电路性能

深N型阱区位于P型半导体基板中且位于P型阱区下方。第一N型和P型掺杂区位于P型阱区上。第二N型和P型掺杂区位于N型阱区上。第一P型掺杂区与第二N型掺杂区电连接。本发明在发生静电放电事件时,可以形成两条电流路径,包括经由第一P型掺杂区与第二N型掺杂区电连接...

P型半导体与N型半导体的定义及区别

-P型半导体的主要载流子是空穴,表现为正电荷。-N型半导体的主要载流子是自由电子,表现为负电荷。掺杂元素:-P型半导体通常使用三价元素(如硼或铝)进行掺杂。-N型半导体则使用五价元素(如磷或砷)进行掺杂。导电性质:-在P型半导体中,空穴的移动导致了电流的形成,其移动方向是从正极向负极。