【头条】台积电“冷落”High-NA EUV光刻机启示录
1nm或将引入高NA光刻机细究台积电的成功之路,台积电从来就不争“第一个吃螃蟹者”,无论是从DUV转向EUV,还是选择GAA,台积电均倾向于确保新技术的成熟和可靠性之后再进行部署,其“稳健”的台风一直在沿续。以EUV为例,当三星在2018年开始在其7nm工艺中使用EUV之际,业界也普遍认为EUV必不可少之际,台积电依靠成熟...
如何建一个200亿美元的晶圆厂?
蚀刻后,去除剩余的光刻胶。3.掺杂掺杂是将极少量的杂质引入半导体材料以改变其电导率的过程。通过在硅中掺杂少量的V族元素(例如磷或砷),可以产生具有过量自由电子的n型半导体。通过掺杂少量的III族元素(例如硼),可以产生具有过量电子空穴的p型半导体。通过适当排列p型和n型硅,可以制造晶体管等组...
《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南 》美国UIUC何伦亚克微...
8.3.1谐振腔8.3.2光的反射和折射8.3.3异质结材料8.3.4粒子数反转和阈值电流密度参考文献第9章半导体光探测和光电池9.1数字照相机和电荷耦合器件9.2光电导器9.3晶体管激光器9.4太阳能电池参考文献第10章硅晶圆的制造10.1从硅石到多晶硅10.2化学反应10.3拉单晶10.4抛光和切片...
光刻机终极十问:美国能禁止荷兰ASML光刻机出口中国,一切都源于此!
首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面,再经过分步重复曝光和显影处理之后,在晶圆上形成需要的图形。原理示意图如下:(来源:科普中国)通常我们以一个制程所需要经过的掩膜数量来表现这个制程的难易。根据曝光方式不同,光刻可分为接触式、接近式和投影式;根据光刻面数的不同,有单面对准光刻和双面对准光刻;根据...
蹭上光刻机概念,股价就可以起飞了?
也正是上述种种因素,使得光刻机概念成为二级市场“最靓的仔”,一旦出现了什么新闻,相关公司的股价就立马闻风而动。2前文已经提到,和光刻机关系离得远的晶方科技,在蹭上光刻机这一概念后,股价就迅速拉升了,这样的例子在A股市场还真不算少。6月5日,上海微电子装备(集团)股份有限公司发布声明称,公司在之前...
芯片里面100多亿个晶体管是如何安装上去的?
而晶体管就是通过光刻和蚀刻雕刻出来的,光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来(www.e993.com)2024年10月20日。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用。
从砂到芯:芯片的一生
涂胶显影(或涂覆显影)设备虽在结构上比不上光刻机的复杂程度,但也不可或缺,它是光刻过程中必要的设备。[21]对光刻工艺来说,晶圆上光刻胶涂覆的厚度和均匀性至关重要,直接影响着后续光刻工艺质量,从而影响芯片成品的性能、良率和可靠性[33]。所以,怎么涂好光刻胶是一门学问,负责涂覆光刻胶的设备便是涂胶显...
半导体设备行业深度报告:市场再创新高,国产化替代空间广阔
光刻工艺包括三个核心流程:涂胶、对准和曝光以及光刻胶显影。整个光刻过程需要经过八道工序:晶圆清洗、表面预处理、光刻胶自旋涂敷、软烘烤、对准、曝光、曝光后烘烤、显影、坚膜烘烤和图形检测。光刻工艺流程中最核心的半导体设备是光刻机,光刻机是半导体设备中技术壁垒最高的设备,其研发难度大,价值量占晶圆制造...
从砂到芯:芯片的一生_腾讯新闻
设计规则周期已小于光刻机分辨率极限,此时光刻机开始采用双重或多重曝光技术、光源掩模协同优化、负显影工艺等工艺;浸没式光刻技术虽然支持了45nm/40nm、32nm/28nm、20nm/16nm/14nm、10nm和7nm五个主要技术节点[29],但从5nm开始,到3nm、2.1nm甚至1nm,大多数中后段层次和前段的鳍和栅极的剪切层次都开始采用极...
深度解析:芯片自主可控
刻蚀是将晶圆表面不必要的材质去除的过程。刻蚀工艺位于光刻之后。光刻机用光将掩膜上的电路结构复制到硅片上,刻蚀机把复制到硅片上的电路结构进行微雕,雕刻出沟槽和接触点,让线路能够放进去。按照刻蚀工艺分为干法刻蚀以及湿法刻蚀,干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀,湿法刻蚀工艺主要是将刻蚀材料浸泡在腐蚀...