中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

然而,该类器件受限于传统p-n结的工作机理,其工作特征须遵照以下原则:(1)入射光子能量大于半导体的带隙;(2)在固定偏压下,产生的光电流朝固定方向单向流动(单向光电流),这大大限制了其在特殊应用场景(例如高分辨多色成像、生物光电检测、便携式小型光谱仪、多通道光通信和光逻辑运算等)中的应用。近年来,脱离于经...

中国科大在半导体深紫外LED研究中取得重要进展

研究者们称这一特殊的现象为:Al,Ga元素的相分离和载流子局域化现象。值得指出的是,在铟镓氮(InGaN)基的蓝光LED体系中,In由于和Ga并不100%互溶,导致材料内部出现富In和富Ga的区域,从而产生局域态,促进的载流子的辐射复合。但在AlGaN材料体系中,Al和Ga的相分离却很少见到。而此工作的重要意义之一就在于人为调节材...

中国科大在激发态载流子动力学与能量转换过程的微观机理研究方面...

针对凝聚态体系中激发态动力学问题,赵瑾研究小组开发了原创性的非绝热分子动力学计算软件程序包Hefei-NAMD,能够同时从时间、空间、动量与能量等多个尺度对激发态载流子的动力学进行描述,同时可以用来研究激发态载流子与声子、极化子、缺陷、边界等的相互作用。2016年,他们利用该方法模拟了CH3OH/TiO2界面的空穴动力学过程,...

兰州大学刘子桐团队《AM》:具有良好延展性和载流子迁移率的预封端...

近期,兰州大学化学化工学院的刘子桐教授研究团队开发了一种合成超支化半导体聚合物(HBSPs)的“预端封”策略,旨在实现有机电子材料载流子迁移率和可拉伸性之间的平衡。如图1所示,作者选用了具有高迁移率和稳定性的噻吩基吡咯并吡咯二酮-硒烯骨架作为基本骨架。此外,作者引入以正十二烷基连接的双DPP四溴单体作为A4单元...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷酸分子掺杂剂,可以调节宽带隙钙钛矿半导体的p型和n型特性。结果表明,p型和n型样品的载流子浓度均超过了1013??cm??3,霍尔系数在??0.5??m3C??1(n型)到0.6??m3C??1(p型)范围内。我们观察到了费米能级在带...

光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

因此,光催化化学反应往往发生在光生载流子被缺陷态捕获之后(www.e993.com)2024年11月22日。这说明缺陷态能级位置的确定对高性能光催化半导体材料的探索有指导意义。类比以往的一些半导体缺陷的经典探测方法,如紫外-可见吸收光谱、电化学阻抗谱、光致发光法(PL)、光电导率法、空间电荷限流法等,扫描激发-时间分辨中红外光谱,能够以0.02eV的能量分辨率...

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,提高半导体结构载流子的迁移率

金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及其结构“,公开号CN117693191A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

在众多宽带隙材料中,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)尤为突出,它们不仅在开关应用中展现出巨大潜力,也在射频功率领域中展现出光明的前景。目前,业界对于GaN与SiC这两种材料的比较、它们各自适用的半导体器件,以及它们在不同开关和射频功率应用中的适应性,有着广泛而深入的讨论。

GaN与SiC:两种流行宽禁带功率半导体对比

碳化硅(SiC)衬底已在电动汽车和一些工业应用中确立了自己的地位。然而,近来氮化镓(GaN)已成为许多重叠应用的有力选择。了解这两种衬底在大功率电路中的主要区别及其各自的制造考虑因素,或许能为这两种流行的复合半导体的未来带来启示。宽禁带(WBG)半导体在电力电子和高频电路领域掀起了一场风暴,取代了许多以前由硅基器...

人工智能爆发式增长,已有企业下注“终极半导体”

目前第三代半导体有氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、AlN（氮化铝）、ZnO（氧化锌）等，近年来各国陆续布局半导体产业，产业化进程快速崛起。金刚石禁带宽度达5eV，是当前单质半导体材料中带隙最宽的材料，同时具有高击穿电场、大饱和载流子速度、高载流子迁移率和底介电常数等优异电学性质，被认为是制备下一代高功率...