中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

然而,该类器件受限于传统p-n结的工作机理,其工作特征须遵照以下原则:(1)入射光子能量大于半导体的带隙;(2)在固定偏压下,产生的光电流朝固定方向单向流动(单向光电流),这大大限制了其在特殊应用场景(例如高分辨多色成像、生物光电检测、便携式小型光谱仪、多通道光通信和光逻辑运算等)中的应用。近年来,脱离于经...

长鑫存储申请半导体结构及相关专利,有效提高晶体管载流子迁移率

该结构的半导体层能够使得载流子被局限于迁移率较高的沟道层中运动，因此晶体管的载流子迁移率也能够得到有效提高。本文源自：金融界作者：情报员

"半导体"第一龙头沉睡5年!拟10转30派9获批,有望从8元到24元

半导体(semiconductor)是室温下导电能力处于导体和绝缘体之间的一种物质。其导电能力与其内部的载流子数量相关,主要有电子和空穴两类。纯净的半导体,由于其能带结构与绝缘体相近,能够激发的载流子数量很有限,因此几乎不导电。通常在半导体中掺入杂质,可以引入额外的电子或空穴,实现对半导体电导率的有效调控。半导体未来的发...

中国科大在半导体深紫外LED研究中取得重要进展

研究者们称这一特殊的现象为:Al,Ga元素的相分离和载流子局域化现象。值得指出的是,在铟镓氮(InGaN)基的蓝光LED体系中,In由于和Ga并不100%互溶,导致材料内部出现富In和富Ga的区域,从而产生局域态,促进的载流子的辐射复合。但在AlGaN材料体系中,Al和Ga的相分离却很少见到。而此工作的重要意义之一就在于人为调节材...

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,提高半导体结构载流子的迁移率

金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及其结构“,公开号CN117693191A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公

兰州大学刘子桐团队《AM》:具有良好延展性和载流子迁移率的预封端...

近期,兰州大学化学化工学院的刘子桐教授研究团队开发了一种合成超支化半导体聚合物(HBSPs)的“预端封”策略,旨在实现有机电子材料载流子迁移率和可拉伸性之间的平衡(www.e993.com)2024年11月22日。如图1所示,作者选用了具有高迁移率和稳定性的噻吩基吡咯并吡咯二酮-硒烯骨架作为基本骨架。此外,作者引入以正十二烷基连接的双DPP四溴单体作为A4单元...

光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

因此,光催化化学反应往往发生在光生载流子被缺陷态捕获之后。这说明缺陷态能级位置的确定对高性能光催化半导体材料的探索有指导意义。类比以往的一些半导体缺陷的经典探测方法,如紫外-可见吸收光谱、电化学阻抗谱、光致发光法(PL)、光电导率法、空间电荷限流法等,扫描激发-时间分辨中红外光谱,能够以0.02eV的能量分辨率...

人工智能爆发式增长,已有企业下注“终极半导体”

目前第三代半导体有氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、AlN（氮化铝）、ZnO（氧化锌）等，近年来各国陆续布局半导体产业，产业化进程快速崛起。金刚石禁带宽度达5eV，是当前单质半导体材料中带隙最宽的材料，同时具有高击穿电场、大饱和载流子速度、高载流子迁移率和底介电常数等优异电学性质，被认为是制备下一代高功率...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

在众多宽带隙材料中,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)尤为突出,它们不仅在开关应用中展现出巨大潜力,也在射频功率领域中展现出光明的前景。目前,业界对于GaN与SiC这两种材料的比较、它们各自适用的半导体器件,以及它们在不同开关和射频功率应用中的适应性,有着广泛而深入的讨论。

...研制出世界首套超快扫描电子显微镜与超快阴极荧光多模态载流子...

因此,SUEM和TRCL在功能上形成良好的互补,将两者有机结合有望实现在超高的时空和能量分辨下全面解析半导体材料表/界面和体相载流子的动力学信息。鉴于此,付学文教授团队将飞秒激光、场发射扫描电子显微镜和瞬态荧光探测模块相结合,研制出了国际首套超快扫描电子显微镜与超快阴极荧光多模态载流子动力学探测系统(如图1示意图...