中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,提高半导体结构的性能

金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN118782629A,申请日期为2023年4月。专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上形成有沟道叠层结构,沟道叠层结构包括一个或多...

中国科大在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展

近日,中国科学技术大学微电子学院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展。针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严重、缺陷密度高、非辐射复合损失大等问题,该课题组成功构建钙钛矿同质结以促进光生载流子的分离和提取,并结合第一性原理计算进一步分析缺陷形成机制。光伏器件效率和稳定性的同步提升证...

大阪大学开发新型有机半导体 有助于大幅提升有机太阳能电池的效率

通常情况下,OSC包含两种有机半导体,一种用于传输电荷载流子(即电子,受体),一种用于传输其他载流子(即空穴,供体)。当激子(电子和空穴的组合)分裂成这些载流子并产生电子-空穴对时,半导体中就会产生电流。激子紧密地结合在一起,但具有足够能量的阳光可以使它们解离,并产生电流。??本文共计1000字开通高级账号后继续阅...

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,提高半导体结构载流子的迁移率

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,提高半导体结构载流子的迁移率金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及其结构“,公开号CN117693191A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构的制作方法及其结构,其中...

光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

超快光谱研究表明,光生自由载流子被表面缺陷态捕获发生在皮秒到纳秒的时间尺度上,而表面光催化反应的发生时间在微秒到秒量级。因此,光催化化学反应往往发生在光生载流子被缺陷态捕获之后。这说明缺陷态能级位置的确定对高性能光催化半导体材料的探索有指导意义。类比以往的一些半导体缺陷的经典探测方法,如紫外-可见吸收光...

兰州大学刘子桐团队《AM》:具有良好延展性和载流子迁移率的预封端...

兰州大学刘子桐团队《AM》:具有良好延展性和载流子迁移率的预封端超支化聚合物用于本征可拉伸半导体,封端,电荷,AM,聚合物,迁移率,半导体,载流子,刘子桐,兰州大学

商用在即!Diamond Quanta将公布有关新型金刚石半导体制造成果

DiamondQuanta公布了有关新型金刚石半导体制造和掺杂技术的成果。这项创新技术将新元素无缝地融入钻石的结构中,赋予钻石新的特性,同时又不破坏其晶体完整性。因此,金刚石(一种传统上以其绝缘特性而闻名的材料)已转变为能够支持负(n型)和正(p型)电荷载流子的高性能半导体。这种迁移率水平表明金刚石晶格非常干净、...

半导体可控掺杂:浙大实现116万尼特超亮钙钛矿LED登《自然》

“能够控制钙钛矿半导体中载流子的极性和浓度,意味着新型器件设计和功能开发的可能性。我们研制的高亮钙钛矿LED和p-n结二极管只是一些初步演示。可控掺杂的钙钛矿半导体有望带来新一代光电器件。”狄大卫说。上述研究受到国家重点研发计划、国家自然科学基金,以及浙江省、海宁市的支持。

国内半导体正在破局—专利项

天眼查显示,广东芯聚能半导体有限公司近日取得一项名为“功率模块外壳”的专利,授权公告号为CN221409385U,授权公告日为2024年7月23日,申请日为2023年11月1日。本申请涉及一种功率模块外壳,包括壳体、端子组件和保护件,壳体内设有用于容纳内部电路的容纳腔以及与容纳腔连通的走线腔,端子组件穿设于走线腔,且通过走...

告诉你什么是功率半导体士兰微到底强在哪里?

电力电子器件(PowerElectronicDevice)又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。中文名电力电子器件外文名PowerElectronicDevice又称功率半导体器件功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器...