基础知识之晶体管
NPN型晶体管的载流子是电子(负电荷),而PNP型晶体管的载流子是空穴(正电荷)。在PNP型中,通过施加电压使发射极为正电压,基极为负电压,使发射极空穴(正电荷)流入基极,其中一部分与基极电子(负电荷)结合,产生微小的基极电流,其余部分扩散到集电极并成为集电极电流。NPN型和PNP型晶体管晶体管的历史1、晶体管...
整理分类:晶体管的类型分析
晶体管是一种半导体器件,用于控制电流的流动。它由至少三个电极构成:发射极(Emitter)、基极(Base)、集电极(Collector)。晶体管的工作原理基于半导体材料中的载流子(电子和空穴)行为。晶体管的工作可以通过控制基极电压来调节发射极和集电极之间的电流。当在基极施加正向偏压时,会引起基区的载流子浓度增加,从而使得发射极...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
所以,如果我们忽略了三极管的集电极,只把它看作一个二极管(基极-发射极之间的二极管),这里的特性遵循二极管伏安特性曲线,就像一个典型的二极管一样:关于三极管的一个神奇之处是,当你对基极施加电压,以让少许基极电流通过发射结时,它允许更大的集电极流流向发射极,而集电极电流将比基极电流高出很多倍,通常是100到200...
【专利解密】英飞凌加速汽车IGBT市场的部署
IGBT是双极型晶体管器件,可被用于开关电负载的电子开关,能够实现具有高达几千伏(kV)的电压阻断能力。在IGBT从导通状态切换到关断状态时,栅电极中断体区中的导电沟道,这允许第二发射区(漏区)的电势相对于第一发射区(源区)的电势增加。然而,这也会导致栅电极与第二发射区之间的电容(通常被称为反馈电容)造成栅电极...
半导体芯片,到底是如何工作的?
弗莱明的二极管,结构其实非常简单,就是真空玻璃灯泡里,塞了两个极:一个阴极(Cathode),加热后可以发射电子(阴极射线);一个阳极(Anode),可以接收电子。旁热式二极管玻璃管里之所以要抽成真空,是为了防止发生气体电离,对正常的电子流动造成影响,破坏特性曲线。(抽成真空,还可以有效降低灯丝的氧化损耗。)...
分享|第一个晶体管背后的故事
这些场使电子能够从发射极一路流过基极,然后进入集电极(www.e993.com)2024年8月15日。在BJT中,“施加的电场会影响载流子密度,但由于这种效应是指数级的,因此只需一点点就能产生大量扩散电流,”哥伦比亚大学电气工程系主任Ioannis“John”Kymissis解释说。最早的晶体管是一种称为点接触的类型,因为它们依赖于接触半导体表面的金属触点。
如何正确识别晶体管的3个引脚:晶体管测试方法分步
在NPN晶体管中,大多数电荷载流子是电子,而在PNP晶体管中,大多数电荷载流子是空穴。NPN晶体管是业界使用最广泛的晶体管类型。一个晶体管有3个引脚C——集电极终端B-基本终端E——发射极端子在将晶体管用于电路时,识别晶体管的3个引脚是必不可少的部分。
威兆半导体提出绝缘栅双极型晶体管及其制备方案
由于第一载流子阻挡层和第二载流子阻挡层的阻挡,可以避免空穴立即被发射极抽走,使得留在漂移区的空穴(少子)增多。为保持电中性,漂移区中会相应形成相应数量的电子(多子),即增强了器件的电导调制效应,从而可以减小绝缘栅双极型晶体管的导通压降,同时关断损耗几乎没什么变化,可使导通压降和关断损耗有一个更好的折衷。
一文详解数字晶体管的原理
如图1,输入电压,启动NPN晶体管。在这个电路中,基极(B)-发射极(E)之间输入顺向电压,注入基极电流。就是说,在基极(B)领域注入+空穴。如果在基极(B)领域注入+电子,发射极(E)的载流子-会被吸引至基极(B),但是正极(B)领域非常薄,因此通过加入集电极电压,载流子可以穿越基极(B)流向集电极(C)。
太空应用领域的曙光!NASA展示纳米级互补真空场发射晶体管
这种晶体管不惧辐射根源在于内部没有半导体通道或介电材料,其发射极和收集极之间是真空的,从而使其不受到宇宙辐射、太阳耀斑等恶劣条件的干扰。目前,Jin-WooHan和他的团队正在更进一步探究这种晶体管的潜力,虽然当下还是采用标准半导体制造工艺来制造的,但这并非是最为理想的材料,比如硅的电荷发射功率不足,接下来...