321层!韩厂技术革新,缺乏器材的长江存储能否寻出路?

目前，3D/4DNANDFlash（3D/4D闪存）的层数已经超过200层，其中SK海力士为238层，三星为236层，美光为232层，长江存储为232层，铠侠为218层，西部数据为218层。而SK海力士已经是第一个官方宣布拥有超过300层（321层）的芯片厂商了，远远领先于三星、美光、长江存储等竞争对手。可以预见，到了2025年，将是...

全球首款321层闪存亮相!2025年量产,效率和容量更高

目前主流的闪存芯片基本是在128层或者232层，比如我们日常买到的固态硬盘，长江存储的很多颗粒就是232层堆叠，但更多厂商提供的颗粒则是128层。当然长江存储的确在这部分算是遥遥领先，海力士才开始量产232层的颗粒，三星还要等等才能量产，美光倒是早早量产了232层NAND闪存，但在终端市场上见得不多，产能和未受限制...

长江存储杀疯了?曝232层NAND闪存出货 8TB1299元

曝232层NAND闪存出货8TB1299元长江存储杀疯了!有消息称长江存储232层NAND闪存即将出货,8TB1299元、16TB1899元。V2EX网友发帖称京东旗下品牌京造已经协议拿到232I降级片,将在第四季度基于这些降级片推出2.5英寸的SATASSD,量大管饱,目前已在工厂测试。工厂正在测试的产品信息4颗粒版:8颗粒版:需要强...

长江存储首推128层QLC闪存,单颗容量1.33Tb

长江存储X2-6070128LQLC1.33Tb3DNAND4月13日,紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司(长江存储)宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储称,作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最...

长江存储突破232层闪存,超越韩美大厂,美国商务部:拉入黑名单

2017年11月,长江存储直接打造了一颗价值10亿美元的芯片,这颗芯片由1800多位工程师,投入10亿美元,耗时两年研发而成,是国内第一款32层3D闪存芯片,也是全球第五家拥有该技术的公司。这款存储芯片,相当于盖32层高楼,之前只能盖几层的小高层,如今可以盖真正的高层建筑了,这难道不是一个巨大的进步吗?

消息称长江存储将直接挑战232层NAND,并于2022年底量产

据DigiTimes报道,近日市场传言称,长江存储将跳过原定192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底量产(www.e993.com)2024年11月28日。据报道,存储器相关业者指出,如此一来,长江存储可望赶上其他NAND大厂如三星电子、铠侠等的脚步,并于2023年将逐步拓展232层NAND产能比重,为全球NAND产业竞赛投下重磅炸弹。

国产存储崛起!曝长江存储将直接挑战232层NAND 年底量产

近日,据DigiTimes报道,传长江存储将跳过原定192层技术,直接挑战232层NAND,并于2022年底量产。致钛(ZhiTai)长江存储512GBSSD固态硬盘SATA3.0接口SC001Active系列[经销商]京东商城[产品售价]329元进入购买致态TiPlus5000(512GB)[经销商]京东商城...

长江存储交付192层3D闪存样品:年底正式量产

随着2018年长江存储的32层NANDFlash的量产,国产闪存芯片终于实现了重大突破。不过,由于该技术与国际主流技术相差较大,所以并未在市场获得成功。2019年9月,长江存储正式宣布,成功量产基于自研的Xtacking架构的64层256GbTLC3DNANDFlash。该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求,与目前业界已上市的64...

长江存储128层TLC闪存拆解:存储密度高达8.48Gb/mm??,远超三星等

△长江存储三代3DNAND的比较:Gen1(32L)、Gen2(64L,Xtacking1.0)和Gen3(128L,Xtacking2.0)。与三星(V-NAND)、美光(CTFCuA)和SK海力士(4DPUC)的现有128层512Gb3DTLCNAND芯片的die尺寸相比,长江存储512Gb128层Xtacking2.0TLCNAND芯片的die尺寸更小,单位密度最高。

长江存储成功研发128层闪存 国产存储器迈重要一步

中新网北京4月13日电(记者李晓喻)长江存储科技有限责任公司13日宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储是中国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司,主要业务为3DNAND闪存设计制造。2016年底落地武汉,总投资240亿美元。