...厚度以及层数的MoSe2和WSe2对二维场效应晶体管(2D FETs)性能的...

在硅场效应晶体管(FET)中,通过在源极和漏极区域下方进行退化掺杂,可以通过减少接触电阻来实现高性能的n型和p型器件。与此不同,二维半导体则依赖于金属功函数工程。这种方法已促使有效的n型2DFET的开发,因为费米能级钉扎发生在导带附近,但在p型FET中却面临挑战。为了解决这一难题,美国宾夕法尼亚州立大学Saptar...

...Advances:揭示自热效应对有机场效应晶体管运行稳定性的影响

相比之下,仅钝化界面缺陷的器件虽然在低功率密度下表现出较好的运行稳定性,但在高功率密度下运行3万秒后,开态电流下降了40%以上,阈值电压负向漂移达5.6V。以上结果表明除水、氧气及界面缺陷外,高功率密度下严重的自热效应可能是器件运行稳定性下降的主要原因。图2引入六方氮化硼后的OFETs在高功率密度下的运行...

南京理工大学和南京大学合作团队 | 基于二维材料场效应晶体管的高...

研究人员已经开发出多种性能优异的二维材料场效应器件,这些器件不仅功耗低、增益高,还展现出高密度集成的潜力。二维半导体材料不仅在高性能逻辑器件与电路中具有应用潜力,而且在模拟器件与电路中同样也具有发展潜力。但是,目前的研究主要集中在二维半导体逻辑器件与电路方面,对二维半导体模拟器件与电路的研究较少。在本工...

芯导科技取得自对准场效应晶体管制备方法专利,可优化器件的性能

专利摘要显示,本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法,于硅基外延层的表面和栅极多晶硅的表面依次形成第二氧化层和第二介质层,于栅极多晶硅两边的侧壁区域有侧壁的第二介质层,刻蚀第二介质层并保留侧壁的第二介质层,由侧壁的第二介质层形成接触孔的自对准,刻蚀第二氧化层和硅基外延层形成接触孔。此方...

ACS Nano:石墨烯场效应晶体管上的栅控可调分子扩散!!

图2.门控电压依赖的分子扩散障碍。(a)F4TCNQ分子在石墨烯场效应晶体管(FET)上的扩散常数D随温度和门控电压的变化(虚线表示对数据的线性拟合)。(b)从(a)中log(D)与1/T的斜率提取的扩散障碍Eb对VG<??20V显示出强烈的门控电压依赖性...

华微电子申请场效应晶体管及其制备方法专利,优化器件的动态性能...

金融界2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“一种场效应晶体管及其制备方法“,公开号CN202410367745.5,申请日期为2024年03月(www.e993.com)2024年11月16日。专利摘要显示,本申请实施例提供一种场效应晶体管及其制备方法,涉及半导体器件制造领域。通过上述方法制备的场效应晶体管包括衬底、外延层、场氧化...

富特科技申请用于场效应晶体管的驱动电路和桥臂电路及车载充电...

金融界2024年3月19日消息,据国家知识产权局公告,浙江富特科技股份有限公司申请一项名为“用于场效应晶体管的驱动电路和桥臂电路及车载充电设备“,公开号CN117728647A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本申请提供一种用于场效应晶体管的驱动电路和桥臂电路及车载充电设备。在驱动电路中,开通单元通过所述驱动信号...

磁性电极平面电解质门控场效应晶体管的制备与表征

本文以聚苯胺(PANI)为富缺陷半导体,颗粒镍为平面电极,以1-己基3-甲基咪唑氯为电解质制备了电解质门控场效应晶体管(EG-FET)。采用氧化聚合法制备了聚苯胺,并用FTIR光谱和电流-电压(I-V)特性对其进行了表征,并在离子环境中建立了稳定的富缺陷半导体。单个结的特性显示出界面极化的存在以及势垒高度和理想因数随磁场...

北京大学申请基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管...

金融界2024年3月23日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管“,公开号CN117747619A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,

...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...

图6.二硫化钼场效应晶体管负光电导效应原理示意图。图片来源:AdvancedFunctionalMaterials该成果以“基于外延铁电栅的具有负光电导和高响应度的双极性MoS2场效应晶体管”(AmbipolarMoS2FieldEffectTransistorswithNegativePhotoconductivityandHighResponsivityUsinganUltrathinEpitaxialFerroelectricGate)为题...