基本半导体汪之涵:大浪淘沙,国产碳化硅行业正在“卷”出新高度|...

在近日接受《科创板日报》记者专访时，基本半导体董事长汪之涵表示，碳化硅领域上市公司和创业公司有各自的竞争优势，从当前碳化硅半导体的竞争格局来看，尽早入局并实现量产应用，是企业实现领跑的关键。“近几年，国外的碳化硅品牌已在不少车企得到了大批量应用，比亚迪、广汽埃安等为代表的国内头部车企也发布了多款使用...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

例如,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这样的宽带隙半导体具有高电子迁移率和高击穿电场强度,使它们非常适合高功率和高温应用。这些材料的带隙特性使它们在高效率能量转换、电动汽车、可再生能源系统以及各种高性能电子器件中扮演着重要角色。随着材料科学和器件工程的不断进步,对带隙的深入理解和应用将推动电子技术的持续创新和...

集微咨询发布《汽车半导体市场逆势增长的主力军:从专利角度分析...

碳化硅(SiC)是一种由硅和碳构成的化合物半导体材料,不仅绝缘击穿场强是硅的10倍,带隙是硅的3倍,高温性能和导热性也更加出色。因此与硅器件相比,碳化硅能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V-3300V的高耐压功率器件,并且在高温工作环境下仍能保持更好的性能。目前主流功率器件为硅基MOSFET和硅基I...

第三代半导体的重大突破:碳化硅MOSFET芯片的全新篇章

碳化硅作为一种第三代半导体材料，因其优异的性能而备受关注。它具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等特性，非常适合应用于高功率、高频和高温环境。目前，业内主要使用的碳化硅MOSFET芯片是平面型结构，但在性能上存在一定的局限性。相比之下，沟槽栅结构的碳化硅MOSFET芯片具有更低的导通损耗、...

国产碳化硅厂商vs国际半导体巨头,优势在哪

碳化硅(SiC)是一种性能优异的第三代宽带隙半导体材料,较传统硅(Si)半导体不但具有带隙宽(Si的3倍)、热导率高(Si的3倍)、击穿场强高(Si的10倍、饱和电子漂移速率高(Si的2倍),而且还具有极好的物理及化学稳定性,可用于制造高温、高频、大功率电力电子器件,在开关电源、白色家电、工业电机控制、轨道交通、电动...

天域半导体“碳化硅外延片的生长工艺”专利公布

碳化硅半导体具有优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性,是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料(www.e993.com)2024年11月22日。与传统的硅器件相比,碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是在碳化硅衬底上生长碳化硅外延片。

2024年全球及中国碳化硅功率半导体市场规模预测及下游应用市场分析

随着新能源汽车的发展,对功率器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的增长点。碳化硅器件在新能源汽车产业中主要应用在电机控制器(电驱)、车载充电机OBC、DC/DC变换器以及充电桩,碳化硅器件相比硅基器件有更优越的物理性能,体积小,性能优越,节能性强,同时缓解了续航问题,更适应新能源汽车增加续航里程、缩短充电时长...

芯趋势丨第三代半导体碳化硅,2023年逆势狂奔

公告指出,业绩变化源于年内受益于碳化硅在下游新能源汽车、光伏发电、储能等应用领域的渗透应用,碳化硅半导体整体市场规模不断扩大。2023年公司上海临港智慧工厂开启产品交付;导电型产品产能产量持续提升,产品交付能力增强。碳化硅相关芯片和模块产品供应商芯联集成(688469.SH)公告显示,预计2023年实现营业收入约53.25亿元,同...

半导体设备碳化硅(SiC)零部件行业研究报告

可以看出相比其他材料部件,碳化硅材料零部件具备密度高、热传导率高、弯曲强度大、弹性模数大等特性,能够适应晶圆外延、刻蚀等制造环节的强腐蚀性、超高温的恶劣反应环境,因此广泛应用于外延生长设备、刻蚀设备、氧化/扩散/退火设备等主要半导体设备。2、CVD碳化硅零部件行业的基本概况...

碳化硅与第三代半导体的渊源

碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此,已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,因为禁带宽度大...