抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

在全球范围内,铁电材料的疲劳失效是各种电子设备出现故障的主要原因之一。针对上述问题,中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电功能材料与器件团队联合电子科技大学、复旦大学相关团队从铁电疲劳产生的微观原理入手,利用二维滑移铁电结构的独特性,创制了一种无疲劳铁电材料。这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数...

新兴存储,冰火两重天

多位存储能力:部分ReRAM材料还具备多种电阻状态,使得单个存储单元存储多位数据成为可能,从而提高存储密度;ReRAM结合了DRAM的读写速度与NAND的非易失性,从密度、能效比、成本、工艺制程和良率各方面综合衡量,ReRAM存储器在目前已有的新兴存储器中具备明显优势。凭借多种优势,ReRAM如今正作为嵌入式非易失性存储器...

存内计算,有了新选择|信号|阵列|脉冲|存储器|电容器_网易订阅

为了充分区分P+和P-,残余极化2PR在存储器的整个寿命期间应尽可能高。然而,主要缺点是每次读出后都需要对单元重新编程,使得读取耐久性取决于写入耐久性。佐治亚理工学院和imec的研究人员采取了不同的方法。他们从不同的内存窗口概念开始。他们没有利用P+和P-之间的差异,而是使用电容内存窗口的概念。该...

国芯思辰 |兼容MB85RS2MT,国产铁电存储器PB85RS2MC用于流量检测

??性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯);流量检测装置中使用的PB85RS2MC不仅保证了实时数据的掉电保持,而且克服了仪器年准确度发生变化需要开机箱卸掉程序芯片,重新写程序修正参数的缺点。本方案中的铁电存储器具有能被快速、频繁访问的优点,并目能有效地解决突然断电数据丢失的问题。注:如涉及作品...

量子系统,如何实现低温控制?|技术解析

随着温度的降低,PbZr0.5Ti0.5O3薄膜的矫顽力场增加,反铁电二氧化锆的矫顽力场减少。对于PbZr0.5Ti0.5O3薄膜,饱和和残余极化在低温下不断增加。这些研究表明,在低温条件下,铁电存储器必须进行设计权衡。-自旋电子存储器自旋电子存储器(磁性随机存取存储器,MRAMs)由于其非易失性、高容量、快速(开关时间小于1ns...

新型存储器专题交流纪要

PCM存储器是一种高性能、非易失性存储器，基于硫属化合物玻璃的新型存储器(www.e993.com)2024年11月17日。与基于NAND的传统非易失性存储器不同，PCM可以实现几乎无限数量的写入。此外，PCM器件的优势还包括：访问响应时间短、字节可寻址、随机读写等，也是诸多被称为能够“改变未来”的存储技术之一。从2006年开始，英特尔和美光搞了将近十年，...

新型存储器技术将主导存储器市场?这其中FeRAM有什么竞争优势?

目前在铁电存储器商业化中遇到的主要挑战是缺少低成本的与硅基CMOS工艺集成的技术，达不到批量生产的原因主要是材料和存储单元结构问题。FRAM其存储单元基于双晶体管，双电阻器单元，单元尺寸至少是DRAM的两倍，存储密度受限，成本较高。并且它的读取是破坏性的，每次读取后必须通过后续写入来抵消，以将该位的内容恢复...

ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?-钛媒体官方网站

第一类易失性存储器是以动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)代表的易失性存储器,二者均具备高读写速度。其中SRAM速度高于DRAM,但密度低于DRAM,这是因为一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容,而每个SRAM单元需要四到六个晶体管。其共同的缺点是容量较低且成本高,一般分别用作主存和缓存。

新型存储之我见(科普长文)

存储器的制约既然今天要讲新型存储,肯定是原有的存储方案和技术有不完美的地方,所以需求方在寻找更好的替代方案,这才有新型存储的发挥空间。从系统的角度讲,内存DRAM和NAND之间速度差别非常大,但是性质又完全不同,NAND是非易失性的永久保存数据得靠它,但是这速度起不来始终是个大问题,会成为系统瓶颈。

铁电随机存取存储器 (FeRAM / FRAM) 技术

SBT最大的优点是不存在疲劳退化的问题,而且不含铅,符合欧盟环保标准;但其缺点是工艺温度较高,工艺集成困难,残余极化程度小。两种材料的比较见表1。表1.PZT和SBT的比较目前,从环保的角度来看,PZT已经被禁用,但从铁电存储器的性能和工艺集成以及成本的角度来看,SBT相比PZT没有优势。因此,铁电材料的选择值得...