爱国者星璨EV1000电源评测:全面优秀的性能表现

电源的+12V输出采用的是同步整流,配置有8个MosFET,布置在PCB的正面,4个一组分布在主变压器旁边,型号均为014N04SA,具体规格为40V/200A/1.45mΩ,整流管与续流管各配置有4个。电源的+5V与+3.3V采用DC-DC设计,PWM控制器被遮挡无法观察具体型号,MosFET则分为两组,每组各2个,配置有开放式线圈电感与固态电容。

SiC,全民“挖坑”|沟槽|碳化硅|平面_新浪新闻

相比之下,沟槽型SiCMOSFET器件由于采用了沟槽栅极结构,具有以下突出优点:导电沟道由横向改为纵向,有效节约了器件面积,功率密度大幅提升;沟槽结构几乎消除了JFET区,使器件输入电容大幅减小,提高了开关速度,降低了开关损耗;JFET区电阻也随之消除,器件Rdson可以更低电流能力得到进一步提升。相较平面栅SiCMOSFET器件,...

浮思特|深入解析SiC MOSFET与IGBT的区别

SiCMOSFETSiCMOSFET是一种基于碳化硅材料的场效应晶体管，其主要特点是高耐压、高频率和高效率。碳化硅材料相比硅材料具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的电子饱和速度，使得SiCMOSFET在高压、大电流和高频应用中具有明显优势。IGBTIGBT是一种结合了MOSFET和BJT(双极型晶体管)优点的功率器件。其结构由一...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

MOSFET有输入阻抗高、噪声小、热稳定性佳、制造工艺简单、抗辐射能力强这些优点，一般会用在放大电路或者开关电路里。MOSFET依据不同工艺能分成平面型PlanarMOSFET、沟槽型TrenchMOSFET、屏蔽栅SGTMOSFET和超级结SJMOSFET。按导电沟道来说，可以分为N沟道与P沟道，也就是N-MOSFET和PMOSFET。依照栅极电压幅值还能...

ROG 白金雷鹰 1000W 氮化镓电源评测:金牌雷鹰的良心升级之作

电源基于主动式PFC+半桥LLC谐振+同步整流+DC-DC结构打造,并且采用了体积小、能效高的GaN氮化镓MOSFET,为电源内部腾出更多的空间,进而塞下了体积更大的散热片,减轻电源内部元件的散热问题。模组接口PCB为直插式设计,采用全日系电容并大量采用固态电容作为输出滤波。

常见三相PFC结构的优缺点分析,一文get√

在任何时候,功率流中每相只有一个开关(www.e993.com)2024年11月13日。这是一种效率上的优势,可以弥补额定为1200V的器件的不足。它也是一个两电平拓扑结构。所以,调制是直接的。如今,一些额定电压为900V的器件也可用于此拓扑结构。那些900V器件的性能优于1200V器件。这有助于减少650V以上的开关器件的缺点。

2024年5款最佳Micro ATX主板评测和购买指南

其一个突出特点是其强大的电源设计,采用12+1双轨电源系统。这确保了即使在重度使用的情况下也能稳定供电,非常适合高强度应用和游戏。该主板还具有高级散热功能,如扩展散热器和MOSFET导热垫,以保持最佳温度。在连接方面,它具有Wi-Fi6E、2.5GLAN和多个USB3.2端口,可实现快速数据传输。但真正让它脱颖...

东微半导2023年年度董事会经营评述

(2)中低压屏蔽栅MOSFET公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构,主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中,公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构,兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点,并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器...

分享2024年8款适合Ryzen 7 5800X理想型主板

优点对于游戏玩家和创作者来说值得信赖。性能强劲。高效冷却。缺点可能缺乏高级功能。价格稍高。7、技嘉B550V2主板技嘉B550GamingXV2旨在提升您的游戏体验。它支持AMD第三代Ryzen和带有Radeon图形处理器的第三代Ryzen。该主板采用10+3相数字双电源设计和低RDS(on)MOSFET,为流畅...

常见三相PFC拓扑结构详解

在任何时候,功率流中每相只有一个开关。这是一种效率上的优势,可以弥补额定为1200V的器件的不足。它也是一个两电平拓扑结构。所以,调制是直接的。如今,一些额定电压为900V的器件也可用于此拓扑结构。那些900V器件的性能优于1200V器件。这有助于减少650V以上的开关器件的缺点。