...| Springer Materials 系列在线讲座: 新型非易失性存储器技术...

何亮博士将于10月14日重点介绍磁随机存储器(MRAM)在前沿科学领域,以及商业制造领域的最新进展,同时还会分析其它几种阻变存储器(RRAM),相变存储器(PCRAM),铁电存储器(FeRAM),以及赛道存储器(RacetrackMemory),包括基本器件原理,及商业应用前景等。在本次讲座中,何亮博士还会比较讨论几种新型存储器技术路线各自的优...

华东师大Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN...

铁电存储器(FeM)器件由于低功耗、高运行速度和优秀的疲劳特性,在IMC应用方面具有独特优势(图1c)。图1(a)VonNeumann体系结构中的内存和CPU。(b)提高算力的技术路线图。(c)现有NVM的性能比较。这里,“FeRAM:10/10”表示FeRAM的读/写时间为10/10ns,其余定义类似。纵观百年铁电史,钙钛矿型铁电材料与CMOS后...

...SpringerMaterials 系列在线讲座: 新型非易失性存储器技术的展望

何亮博士将于10月14日重点介绍磁随机存储器(MRAM)在前沿科学领域,以及商业制造领域的最新进展,同时还会分析其它几种阻变存储器(RRAM),相变存储器(PCRAM),铁电存储器(FeRAM),以及赛道存储器(RacetrackMemory),包括基本器件原理,及商业应用前景等。在本次讲座中,何亮博士还会比较讨论几种新型存储器技术路线各自的优...

新兴存储,冰火两重天

多位存储能力:部分ReRAM材料还具备多种电阻状态,使得单个存储单元存储多位数据成为可能,从而提高存储密度;ReRAM结合了DRAM的读写速度与NAND的非易失性,从密度、能效比、成本、工艺制程和良率各方面综合衡量,ReRAM存储器在目前已有的新兴存储器中具备明显优势。凭借多种优势,ReRAM如今正作为嵌入式非易失性存储器...

中国科学家开发出新材料,可实现存储芯片无限次擦写

FRAM产品具有RAM和ROM优点,读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点,访问次数是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。但是,并不是说在超过限度次数之后,FRAM就会报废,而是它仅仅没有了非易失性,但它仍可像普通RAM一样使用。

Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述

为了突破这些瓶颈,近年来出现了NVIDIA的多核图形处理器(GPU)和谷歌的张量处理器(TPU),以及基于非易失性存储器(NVM)的存内计算(IMC)技术(图1b)(www.e993.com)2024年11月17日。铁电存储器(FeM)器件由于低功耗、高运行速度和优秀的疲劳特性,在IMC应用方面具有独特优势(图1c)。图1(a)VonNeumann体系结构中的内存和CPU。(b)提高算力的技术...

铁电存储器工作原理和器件结构

SBT最大的优点是没有疲劳退化的问题,而且不含铅,符合欧盟环境标准;但是它的缺点是工艺温度较高,使之工艺集成难度增大,剩余极化程度较小。两种材料的对比见表1。目前从环境保护的角度来说,PZT已经被禁止使用了,但是从铁电存储器的性能和工艺集成的难易和成本的角度来说,SBT与PZT相比没有优势,因此目前关于铁电材料...

FM20L08型铁电存储器的原理及应用

在一些需要下位机单独工作的场合(如汽车行驶记录仪、高速存储测试设备等),其数据的高速存储和掉电不丢失尤为重要,Ramtron公司推出的FM20L08型非易失性铁电存储器除具有其他铁电存储器的一般特点外,弥补了已有铁电存储器存储量小的缺点,其数据存储量达1MB,可完全代替标准异步静态随机存储器(SRAM)。

铁电存储器在仪表中的应用

易失性记忆体像SRAM和DRAM在没有电源的情况下都不能保存数据。但这种存贮器拥有高性能、易用等优点。非易失性记忆体像EPROM,EEPROM和FLASH能在断电后仍保存数据。但由于所有这些记忆体均起源自ROM技术,所以不难想象得到他们都有不易写入的缺点:写入缓慢、读写次数低、写入时工耗大等。

国芯思辰|国产铁电存储器PB85RS2MC可替代MB85RS2MT用于柴油机

铁电存储器(FRAM)是一种创新技术的非易失性存储器,它在继承传统非易失性存储器的“非易失”优点的同时,将铁电薄膜与半导体集成技术相结合,克服了传统非易失性存储器的缺点,具有集成度高、读写速度快、成本低以及高读写次数的优点。因此,铁电存储器被誉为存储技术的终结者,它非常适合在各种形式的柴油机测控系统...