中瓷电子研究报告:国内电子陶瓷龙头,切入碳化硅高成长赛道
2021年,公司消费电子业务占比是12.9%,通信用电子陶瓷外壳业务占比为76.9%,这是公司的第一大业务,其中光通信电子陶瓷外壳产品竞争力挺强,跟国外领先企业的产品性能差不多,公司打算一直保持这方面的技术优势。工业激光器用电子陶瓷外壳附加值低,所以公司把部分产能调整到消费电子和通信业务上了,2021年工业激光...
详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
宽带隙半导体的高介电击穿场强特性,使得这些材料能够在较薄的耐压层上实现与硅相同的击穿电压,这为设计更小型化、更高效的电力电子器件提供了可能。碳化硅和氮化镓的电子迁移率高,导电时电阻损耗低,这使得它们在功率转换应用中比硅更为高效,尤其是在高温、高频操作中表现出色。这些材料能够在更高的温度下稳定工作,减...
天岳先进:碳化硅功率器件有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量...
公司回答表示:碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗等方面具备突出的优势,有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高效化,减轻汽车体积和重量,提高电池续航里程,缩短充电时间,因此在新能源汽车上已经开始获得规模化应用。特别是在800V高压平台车型上,碳化硅技术的优势更加明显。本文源自金融界AI电报...
...开关损耗等方面具备突出的优势,有助于实现新能源车电力电子...
碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗等方面具备突出的优势,有助于实现新能源车电力电子驱动系统轻量化、高效化,减轻汽车体积和重量,提高电池续航里程,缩短充电时间,因此在新能源汽车上已经开始获得规模化应用。特别是在800V高压平台车型上,碳化硅技术的优势更加明显。谢谢您的关注!
中微公司: 2023年年度报告
借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点,受到下游客户的广泛认可,在??Mini-LED??显示外延片生产设备领域处于国际领先。????????????????????????????????(图:PRISMO??UniMax??MOCVD??设备)????公司于??2022??年推出了用于氮化镓功率器件生产的??MOCVD??设备??PRISM...
加快投产!三安、斯达SiC新项目进度曝光
加入碳化硅大佬群,请加微信:hangjiashuo999嘉兴斯达:SiC项目首台设备搬入2月1日,据“中电二公司”官微消息,嘉兴斯达微电子有限公司余近日举行了“高压特色工艺功率芯片和SIC芯片研发及产业化项目”FAB2首台设备搬入仪式,试投产在即(www.e993.com)2024年10月19日。据透露,斯达的FAB2项目总投资1.3亿元,拟通过新建厂房、洁净车间及动力站、气...
英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员新著!《碳化硅器件工艺核心...
《碳化硅器件工艺核心技术》共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势。
天岳先进:碳化硅半导体材料和器件在新能源汽车等下游行业具有广泛...
尤其是碳化硅材料因为本身优异的物理性能,能够超越硅材料的物理极限。电网的输配电需要使用大量的电力电子器件,目前也在开发新型碳化硅器件。比如雄安新区建成采用国产6500V碳化硅器件的柔性变电站。行业内专家认为,未来配网实现有源化之后,交流和直流的连接必须采用柔性的电力电子变换设备,而3300V中低压的国产碳化硅器件...
投资者提问:碳化硅GPU器件的优势有哪些
通过自主扩径,公司实现从2英寸衬底到8英寸衬底的制备。另一方面,公司产品已经获得国内外知名客户的认可,包括电力电子、汽车电子等领域的知名企业英飞凌、博世等开展与公司的广泛合作。半导体电力电子器件是电能转换的核心部件,碳化硅衬底是制备新一代电力电子器件的关键材料,公司产品具有广泛的应用场景。谢谢您的关注!
【综述】碳化硅中的缺陷检测技术
与由硅或砷化镓(GaAs)制成的传统器件相比,基于碳化硅的电力电子器件具有多项优势。表1显示了SiC、Si、GaAs以及其他宽禁带材料(如GaN和金刚石)的物理性能的比较。由于具有宽禁带(4H-SiC为~3.26eV),基于SiC器件可以在更高的电场和更高的温度下工作,并且比基于Si的电力电子器件具有更好的可靠性。SiC还具有优异的...