SiC MOSFET在电动汽车中的应用问题

SiCMOSFET的短路耐受时间比SiIGBT的短路耐受时间要短。当主驱逆变器应用中存在上下桥臂直通的故障时，SiCMOSFET因直通而承受电池瞬态释放的巨大能量，又由于SiCMOSFET的芯片面积更小，导致更高的短路电流密度和更快的结温上升而出现击穿故障。当SiCMOSFET作为主驱逆变器的主要部件时，其短路能力弱的特点使得传...

SiC MOSFET模块的激光焊锡在新能源汽车领域的高精密应用

综上所述,SiCMOSFET模块作为一种高性能的功率半导体器件,具有耐高温、高阻断电压、低损耗和开关速度快等优势,在电驱动系统、车载充电等领域的应用越来越广泛。而激光焊锡技术以其高精度焊接、热影响区小、无接触焊接、高效率和速度以及清洁环保等特点,成为汽车电子焊接的关键技术之一...

半导体PFA管是什么,有什么特点,有哪些应用?

二、半导体PFA管具有以下特点:1.高输入抗阻:PFA管的独特设计,使用了p型和n型半导体材料连接栅极与漏极,这让它的输入电阻远超常规MOSFET,换句话说,它对输入信号的影响更小。2.低噪声性能:在运行时,三氟莱PFA管产生的杂音很小,这意味着在处理高精度信号的任务中,它表现得相当出色。3.节能低耗:由于PFA...

浮思特|深入解析SiC MOSFET与IGBT的区别

SiCMOSFETSiCMOSFET是一种基于碳化硅材料的场效应晶体管，其主要特点是高耐压、高频率和高效率。碳化硅材料相比硅材料具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的电子饱和速度，使得SiCMOSFET在高压、大电流和高频应用中具有明显优势。IGBTIGBT是一种结合了MOSFET和BJT(双极型晶体管)优点的功率器件。其结构由一...

高效控制:类比半导体DR7808在新能源汽车中的应用

放电电流:通过PWM_IDCHG_ACT寄存器(同样在REG_BANK=0时),配置有源MOSFET的放电电流。续流MOSFET电流控制:借助PWM_ICHG_FW寄存器(在REG_BANK=1时),同时配置续流MOSFET的充电和放电电流,确保其在PWM操作下的性能最优。图3PWM操作时可配置的放电电流...

低导通电阻SiC器件在大电流高功率应用中的优越性

目前使用最广泛的SiC开关器件是SiCMOSFET,与传统SiIGBT相比,SiC材料的优异性能配合MOSFET单极开关的特点可以在大功率应用中实现高频、高效、高能量密度、低成本的目标,从而推动电力电子系统的发展(www.e993.com)2024年11月10日。等级2从技术上讲,随着近些年来电力电子系统功率密度和电力电子系统效率的明显发展,电力相关设备代替传统能源设备的趋势已经...

新能源汽车OBC的拓扑结构设计及其典型应用

1.在400VDC电池系统中,如果采用传统的升压型或交错升压型拓扑结构,碳化硅MOSFET的效率可提高0.2%-0.5%;如果用于原边DCDC或副边整流(双向),则可提高功率密度和效率。当碳化硅MOSFET用于效率对降低热负荷至关重要的更高功率等级时,可能会带来更大的效益。

高可靠深入浅出——了解高边驱动在汽车应用中的挑战

汽车电子系统中常见感性负载主要有:变速箱控制模块(TCU)应用中的执行器,如电机、电磁阀等;车身控制模块(BCM)中的执行器,如雨刮、继电器、风机、水泵、油泵等,同样表现为感性特点。高边驱动在应对感性负载关断时,需要通过续流保护维持感性负载电流流向不变,但如果负载两端的电压极性突然翻转,高边驱动输出端将瞬间产生...

车载数字电源研究:从电源侧、配电侧、用电侧,看汽车电源数字化演进

4.2.7低压配电往智能配电盒发展:MOSFET智能配电盒的产品特点和优势4.2.8低压配电往智能配电盒发展:MOSFET智能配电盒的布置位置4.2.9低压配电往智能配电盒发展:MOSFET智能配电盒的三个发展阶段4.3低压配电系统:区域控制器配电4.3.1区域控制器供电中心...

小家电压力锅WIFI模块供电AC-DC电源芯片特点与SM6035解析

WIFI模块供电的AC-DC电源芯片是一种将交流电转换为直流电的芯片,通常用于为WIFI模块提供电源。这种芯片具有高效、紧凑和可靠等特点,能够满足各种应用场景的需求。其中,离线开关电源芯片是一种常见的AC-DCLED电源芯片,它通常包括PWM控制器、电源因数校正(PFC)、保护特性和高压MOSFET驱动等模块。这种芯片具有较高的转换效...