AUTOSAR信息安全机制有哪些?
SecOC通信协议特性同样适用于APAUTOSAR平台标准中,其主要目标是实现与CPAUTOSAR平台SecOC功能互操作性,尤其适用于使用UDP多播的消息场景(SecOC是目前唯一支持的协议)和与CPAUTOSAR之间基于信号的网络绑定的安全通信场景。图4.1-2APAUTOSAR通信管理中的SecOC为了实现与CPAUTOSAR平台的互操作性,Sec...
半导体PFA管是什么,有什么特点,有哪些应用?
二、半导体PFA管具有以下特点:1.高输入抗阻:PFA管的独特设计,使用了p型和n型半导体材料连接栅极与漏极,这让它的输入电阻远超常规MOSFET,换句话说,它对输入信号的影响更小。2.低噪声性能:在运行时,三氟莱PFA管产生的杂音很小,这意味着在处理高精度信号的任务中,它表现得相当出色。3.节能低耗:由于PFA...
碳化硅MOS特点、现状和发展趋势
1、碳化硅材料特点目前车规级IGBT功率模块主要采用硅基材料制作,与硅基半导体材料相比,以SiC为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率等特点,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。基于SiC材料优良的特性,与硅基MOSFET/IGBT相比,相同规格SiCMOSFET在损耗、体积等指标上具有一定...
浮思特|深入解析SiC MOSFET与IGBT的区别
SiCMOSFETSiCMOSFET是一种基于碳化硅材料的场效应晶体管,其主要特点是高耐压、高频率和高效率。碳化硅材料相比硅材料具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的电子饱和速度,使得SiCMOSFET在高压、大电流和高频应用中具有明显优势。IGBTIGBT是一种结合了MOSFET和BJT(双极型晶体管)优点的功率器件。其结构由一...
低温对电子元器件影响是什么?电子元器件低温失效原因有哪些?
2.3MOSFET低温失效MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在低温环境下会出现功能失效和参数不稳定的问题,导致MOSFET低温失效的原因主要有以下几个方面。2.3.1漏电流低温环境下,MOSFET的漏电流会增加,导致电流电压不稳定,从而导致整个电路失效。2.3.2寄生效应...
芯联集成接待1家机构调研,包括线上参与公司2024年半年度业绩说明...
公司将在已经具备领先优势的产品线MEMS、IGBT、SiCMOSFET、BCD、VSCEL、功率模组等方面,持续进行市场的开拓和技术的迭代,实现技术赶超,扩大市场份额,并积极进入海外市场;进一步重点发展高压模拟集成芯片新工艺技术平台,为广大产品公司打造有竞争力的国产模拟集成芯片提供最优质的代工制造平台(www.e993.com)2024年9月20日。同时,公司还将不断拓展新产品...
吃透MOS管,看这篇就够了
2)、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...
什么是光电耦合器?如何选择型号及种类
4、MOSFET输出光电耦合器/光继电器该光电耦合器在输出级设有两个MOSFET共源,并且还具有与机械继电器或引线继电器相同的功能。由于MOSFET的电压-电流特性具有线性输出特性,因此该器件的独特之处在于它不仅可以用作简单的开关,还可以用作开关模拟信号。工采网平台代理了一系列美阔光耦产品;其中产品型号有:MPC30XX-4...
电动汽车最贵的零件是什么?为什么比燃油车贵?老司机告诉你
就单个零件的价格而言,IGBT是最贵的。普通电动车也要2000到4000元。IGBT是一种绝缘栅双极晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合全控电压驱动功率半导体器件。因此,IGBT具有MOSFET驱动功率小、开关速度快的特点,以及BJT饱和压低的特点。,载流密度高的优点。IGBT是电力电子系统的核心器件,被称为电力电子行业的“CPU”...
高效控制:类比半导体DR7808在新能源汽车中的应用
2.有源MOSFET电流控制:o充电电流:利用PWM_ICHG_ACT寄存器(当REG_BANK=0时),精确设定有源MOSFET的充电电流。o放电电流:通过PWM_IDCHG_ACT寄存器(同样在REG_BANK=0时),配置有源MOSFET的放电电流。3.续流MOSFET电流控制:借助PWM_ICHG_FW寄存器(在REG_BANK=1时),同时配置续流MOSFET的充电和放电电流,确保...