铠侠取得半导体装置的制造方法专利
金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司取得一项名为“半导体装置的制造方法”的专利,授权公告号CN112490169B,申请日期为2020年7月。本文源自:金融界作者:情报员
辰中科技取得一种光罩的传输装置及半导体制造设备专利,提高了...
专利摘要显示,本实用新型及半导体技术领域,特别是涉及一种光罩的传输装置及半导体制造设备,所述光罩的传输装置包括:转运轨道,布设于光罩的存放位置到上料位置的顶部;抓取组件,滑动连接于所述转运轨道上;清洁室,设置于所述存放位置和所述上料位置之间;其中,所述抓取组件从所述存放位置抓取所述光罩,并移动至所述清洁...
上海陛通申请用于半导体制造的 UV 固化装置专利,提高固化均匀性
专利摘要显示,本发明提供一种用于半导体制造的UV固化装置,包括:固化腔体、主光照模块、匀光模块、测量模块、两个以上补光模块及控制模块;固化腔体内设置有基座;主光照模块位于固化腔体上方;匀光模块位于主光照模块和基座之间,用于将各模块发出的UV光均匀分散至基座上方;测量模块用于测量经匀光模块匀光后的UV...
芯联集成电路制造股份有限公司取得退火遮光装置及晶圆退火装置...
专利摘要显示,本实用新型涉及半导体制造技术领域,提供了一种退火遮光装置和晶圆退火装置,其中退火遮光装置包括:遮光环和压紧组件;所述压紧组件设置于遮光环沿其轴向的一端,用于压紧于晶圆的边沿。上述退火遮光装置一方面用于遮挡晶圆的边缘,可以阻挡激光与晶圆的边缘处的环形凸起接触,保证晶圆边缘环形凸起处的颜色保持一致...
粤芯半导体“一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储...
本申请提供了一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质,涉及电力电子半导体制造技术领域,包括:在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识,当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定,当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识;根据当层量测标记图形,完成对晶圆上形成图...
深圳希禾增材技术有限公司申请一种增材制造装置专利,使增材制造...
而半导体激光模块并没有振镜,不进行扫描,直接对铺粉模块的成型工作台上的整个成型区域进行加热,为待加工粉末提供预热的温度场(www.e993.com)2024年10月6日。由于所述半导体激光模块没有振镜等结构,本申请的增材制造装置整体系统结构相较现有技术更简单、更容易操作,且同样可实现近似环形复合激光加工的效果。
积塔半导体“用于制造半导体装置的方法以及半导体装置”专利公布
导读:上海积塔半导体有限公司研发新专利,采用飞秒激光与热氧化技术制造碳化硅(SiC)半导体装置,旨在提高其电气特性和功率阈值,以克服传统平面型存在的输出直流电阻大及沟道迁移率退化问题。天眼查显示,上海积塔半导体有限公司“用于制造半导体装置的方法以及半导体装置”专利公布,申请公布日为2024年7月19日,申请公布号为CN...
国产半导体设备实现关键突破!
“如同光刻工艺一样,半导体薄膜生长是芯片生产的核心上游工艺。”武汉大学副研究员吴改介绍了这套实验装置的工作原理:将硅、蓝宝石等衬底放入进样腔,通过“高真空环形机械手”将衬底转运至功能不同的腔体,实现衬底的预处理、薄膜生长、等离子体清洗等过程。
前7月中国进口半导体制造设备金额达1639亿,同比增长51.5%
其中,制造单晶柱或晶圆用的机器及装置进口量为1408台,同比减少16.2%,金额达63.6亿元,同比下降了10.4%;制造半导体器件或集成电路用的机器及装置进口量为6872台,同比增加了8.4%,金额达1296.8亿元,同比增长56.1%;制造平板显示器用的机器及装置的进口量为2181台,同比增加4.8%,金额达100.7亿元,同比...
全球半导体级臭氧添加超纯水制造装置行业发展动态分析及前景趋势
1.5.2半导体级臭氧添加超纯水制造装置行业发展主要特点1.5.3半导体级臭氧添加超纯水制造装置行业发展影响因素1.5.3.1半导体级臭氧添加超纯水制造装置有利因素1.5.3.2半导体级臭氧添加超纯水制造装置不利因素1.5.4进入行业壁垒2国内外市场占有率及排名2.1全球市场,近三年半导体级臭氧添加超...